[實(shí)用新型]背鈍化層結(jié)構(gòu)及背鈍化P型太陽(yáng)能電池

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420319817.0
• 申請(qǐng)日: 2014-06-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203910818U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳璐;吳翔;倪玉鳳;張婷;錢俊;董鵬;高鵬;宋志成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中電投西安太陽(yáng)能電力有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0236
• 分類號(hào): H01L31/0236
• 代理公司: 上海碩力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 31251
• 代理人: 王建國(guó)

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種背鈍化層結(jié)構(gòu)及背鈍化P型太陽(yáng)能電池。

背景技術(shù)

太陽(yáng)能電池是一種通過(guò)光伏效應(yīng)將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體器件，其作為一種新能源材料越來(lái)越受到人們的關(guān)注。

提高光電轉(zhuǎn)化效率和降低生產(chǎn)成本是當(dāng)今太陽(yáng)能電池研究的兩個(gè)主要方面。影響太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化效率的因素很多，但這些因素都可歸結(jié)為太陽(yáng)光子的利用率和表面復(fù)合情況。

提高太陽(yáng)光的利用率可通過(guò)減少光的反射來(lái)實(shí)現(xiàn)：光線照射到電池正表面，一部分光在硅片表面被反射掉，另外的部分可透射進(jìn)入硅片內(nèi)部，為了充分利用太陽(yáng)光，可在硅片表面形成絨面和增加減反射膜，以減少光線在硅片表面的反射損失。進(jìn)入硅片內(nèi)部的光子在傳播過(guò)程中不斷被吸收，但還有相當(dāng)一部分到達(dá)了硅片的基底及背表面，而這些地方的高復(fù)合速率是影響太陽(yáng)能電池效率的主要因素。因此，背鈍化的研究顯得十分重要。

由于傳統(tǒng)的常規(guī)電池轉(zhuǎn)換效率目前已經(jīng)很難提高，背鈍化電池技術(shù)作為高效太陽(yáng)能電池技術(shù)的一種正在被越來(lái)越多的廠家所使用。

目前傳統(tǒng)的背鈍化層結(jié)構(gòu)通常包括：Al₂O₃薄膜層以及覆蓋在Al₂O₃薄膜層上的SiN薄膜層。

然而背鈍化電池的制備需要在常規(guī)電池生產(chǎn)線的基礎(chǔ)上進(jìn)行改造，需在原有設(shè)備的基礎(chǔ)上增加制備背鈍化層結(jié)構(gòu)的新的工藝設(shè)備。而傳統(tǒng)生產(chǎn)線在進(jìn)行背鈍化電池生產(chǎn)線改造時(shí)普遍面臨原有廠房?jī)?nèi)部無(wú)空間容納新增工藝設(shè)備，改造費(fèi)用過(guò)高的問(wèn)題。尤其是傳統(tǒng)背鈍化層結(jié)構(gòu)中的SiN薄膜層需要PECVD真空鍍膜設(shè)備，而PECVD真空鍍膜設(shè)備占用的空間大，費(fèi)用也非常昂貴。

因此，有必要對(duì)現(xiàn)有的背鈍化層結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種背鈍化層結(jié)構(gòu)及背鈍化P型太陽(yáng)能電池，以簡(jiǎn)化背鈍化電池的生產(chǎn)線。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種背鈍化層結(jié)構(gòu)，包括：

Al₂O₃薄膜，沉積在P型硅片的背面上；

TiO₂薄膜，覆蓋在所述Al₂O₃薄膜上；

其中，所述TiO₂薄膜的厚度為50-200納米。

較佳地，所述Al₂O₃薄膜的厚度為5-30納米。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型還提供一種背鈍化P型太陽(yáng)能電池，該背鈍化P型太陽(yáng)能電池包括背鈍化層結(jié)構(gòu)，其中，所述背鈍化層結(jié)構(gòu)具體包括：

Al₂O₃薄膜，沉積在P型硅片的背面上；

TiO₂薄膜，覆蓋在所述Al₂O₃薄膜上；

其中，所述TiO₂薄膜的厚度為50-200納米。

較佳地，所述Al₂O₃薄膜的厚度為5-30納米。

其中，Al₂O₃薄膜層主要起鈍化作用，TiO₂薄膜層主要用于保護(hù)Al₂O₃薄膜層在后續(xù)的工藝過(guò)程中不被破壞，保護(hù)Al₂O₃薄膜層對(duì)硅片背面的鈍化效果。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型采用Al₂O₃薄膜+TiO₂薄膜的疊層膜結(jié)構(gòu)作為背鈍化層結(jié)構(gòu)，由于TiO₂薄膜可以使用噴涂法由鈦酸丁酯加熱分解制得，具體可通過(guò)將硅片放置在加熱基板上，將鈦酸丁酯均勻噴涂在硅片上面，鈦酸丁酯經(jīng)高溫分解而形成TiO₂薄膜；因此其制備非常簡(jiǎn)單，不需要復(fù)雜的制備設(shè)備。與目前制備SiN薄膜的PECVD真空鍍膜設(shè)備相比較，其設(shè)備占地空間小、設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、價(jià)格便宜。因而為常規(guī)產(chǎn)線進(jìn)行背鈍化電池改造提供了可能。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的背鈍化層結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的背鈍化P型太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式