[實用新型]背鈍化層結構及背鈍化P型太陽能電池有效
| 申請號： | 201420319817.0 | 申請日： | 2014-06-16 |
| 公開（公告）號： | CN203910818U | 公開（公告）日： | 2014-10-29 |
| 發明（設計）人： | 陳璐;吳翔;倪玉鳳;張婷;錢俊;董鵬;高鵬;宋志成 | 申請（專利權）人： | 中電投西安太陽能電力有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0236 | 分類號： | H01L31/0236 |
| 代理公司： | 上海碩力知識產權代理事務所 31251 | 代理人： | 王建國 |
| 地址： | 710100 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鈍化 結構 太陽能電池 | ||
【權利要求書】：
1.一種背鈍化層結構，其特征在于，包括：
Al2O3薄膜，沉積在P型硅片的背面上；
TiO2薄膜，覆蓋在所述Al2O3薄膜上；
其中，所述TiO2薄膜的厚度為50-200納米。
2.如權利要求1所述的背鈍化層結構，其特征在于，所述Al2O3薄膜的厚度為5-30納米。
3.一種背鈍化P型太陽能電池，其特征在于，該背鈍化P型太陽能電池包括背鈍化層結構，其中，所述背鈍化層結構具體包括：
Al2O3薄膜，沉積在P型硅片的背面上；
TiO2薄膜，覆蓋在所述Al2O3薄膜上；
其中，所述TiO2薄膜的厚度為50-200納米。
4.如權利要求3所述的背鈍化P型太陽能電池，其特征在于，所述Al2O3薄膜的厚度為5-30納米。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
