[實用新型]一種以二氧化碲為基底的中短波紅外增透膜有效
| 申請號： | 201420310973.0 | 申請日： | 2014-06-12 |
| 公開（公告）號： | CN203965648U | 公開（公告）日： | 2014-11-26 |
| 發明（設計）人： | 羅海瀚;劉定權;蔡清元;李耀鵬 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | G02B1/11 | 分類號： | G02B1/11 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化 基底 中短波 紅外 增透膜 | ||
【權利要求書】：
1.一種以二氧化碲為基底的中短波紅外增透膜，其結構為：在基底的一面沉積正面膜系(1)，在基底的另一面沉積反面膜系(3)，其特征在于：
a、所述的正面膜系(1)的膜系結構為：
基底/0.314H0.025L1.961H0.078L0.496H0.257L0.258H0.894L/空氣
其中，H表示一個λ0/4光學厚度的ZnS膜層，L表示一個λ0/4光學厚度的YbF3膜層，λ0為中心波長，H與L前的數字為膜層的厚度比例系數；
b、所述的反面膜系(3)的膜系結構為：
基底/0.28H0.022L1.638H0.076L0.396H0.227L0.204H0.743L/空氣
其中，H表示一個λ0/4光學厚度的ZnS膜層，L表示一個λ0/4光學厚度的YbF3膜層，H與L前的數字為膜層的厚度比例系數。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院上海技術物理研究所，未經中國科學院上海技術物理研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420310973.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種全差動絞合裝置
- 下一篇：直流接地選線裝置檢測儀
