[實(shí)用新型]一種瞬態(tài)電壓抑制半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420301923.6
• 申請日: 2014-06-09
• 公開（公告）號: CN203941903U
• 公開（公告）日: 2014-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳偉元
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州市職業(yè)大學(xué)
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/861
• 代理公司: 蘇州銘浩知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32246
• 代理人: 劉艷春

1.一種瞬態(tài)電壓抑制半導(dǎo)體器件，其特征在于：包括上臺體（1）、與上臺體（1）底面面接觸的中臺體（2）和與中臺體（2）底面面接觸的下臺體（13），所述上臺體（1）和與下臺體（13）各自的外側(cè)面均為斜面，此上臺體（1）包括第一輕摻雜N型區(qū)（3）、第一重?fù)诫sN型區(qū)（4），所述中臺體（2）從上至下依次為第一輕摻雜P型區(qū)（14）、重?fù)诫sP型區(qū)（15）和第二輕摻雜P型區(qū)（16），此下臺體（2）包括第二輕摻雜N型區(qū)（5）、第二重?fù)诫sN型區(qū)（6）；所述第一重?fù)诫sN型區(qū)（4）、第一輕摻雜N型區(qū)（3）接觸并位于其正上方，所述第二重?fù)诫sN型區(qū)（6）、第二輕摻雜N型區(qū)（5）接觸并位于其正下方；

所述中臺體（2）中第一輕摻雜P型區(qū)（14）與上臺體（1）的第一輕摻雜N型區(qū)（3）接觸形成第一PN結(jié)接觸面，所述中臺體（2）中第二輕摻雜P型區(qū)（16）與下臺體（13）的第二輕摻雜N型區(qū)（5）接觸形成第二PN結(jié)接觸面；

一第一鈍化保護(hù)層（7）覆蓋于第一重?fù)诫sN型區(qū)（4）上表面的邊緣區(qū)域和第一重?fù)诫sN型區(qū)（4）的側(cè)表面，一第二鈍化保護(hù)層（8）覆蓋于第二重?fù)诫sN型區(qū)（6）下表面的邊緣區(qū)域和第二重?fù)诫sN型區(qū)（6）的側(cè)表面，上金屬層（9）覆蓋于第一重?fù)诫sN型區(qū)（4）的中央?yún)^(qū)域，下金屬層（10）覆蓋于第二重?fù)诫sN型區(qū)（6）的中央?yún)^(qū)域；

所述第一輕摻雜N型區(qū)（3）與第一重?fù)诫sN型區(qū)（4）接觸的上部區(qū)域且位于第一輕摻雜N型區(qū)（3）邊緣的四周區(qū)域具有第一中摻雜N型區(qū)（11），此第一中摻雜N型區(qū)（11）的上表面與第一重?fù)诫sN型區(qū)（4）的下表面接觸，此第一中摻雜N型區(qū)（11）的外側(cè)面延伸至上臺體（1）外側(cè)面，所述第一輕摻雜P型區(qū)（14）與重?fù)诫sP型區(qū)（15）接觸的下部區(qū)域且位于第一輕摻雜P型區(qū)（14）邊緣的四周區(qū)域具有第一中摻雜P型區(qū)（12），此第一中摻雜P型區(qū)（12）的下表面與重?fù)诫sP型區(qū)（15）的上表面接觸，此第一中摻雜P型區(qū)（12）的外側(cè)面延伸至中臺體（2）外側(cè)面；

所述第二輕摻雜N型區(qū)（5）與第二重?fù)诫sN型區(qū)（6）接觸的下部區(qū)域且位于第二輕摻雜N型區(qū)（5）邊緣的四周區(qū)域具有第二中摻雜N型區(qū)（17），此第二中摻雜N型區(qū)（17）的下表面與第二重?fù)诫sN型區(qū)（6）的上表面接觸，此第二中摻雜N型區(qū)（17）的外側(cè)面延伸至下臺體（13）外側(cè)面，所述第二輕摻雜P型區(qū)（16）與重?fù)诫sP型區(qū)（15）接觸的上部區(qū)域且位于第二輕摻雜P型區(qū)（16）邊緣的四周區(qū)域具有第二中摻雜P型區(qū)（18），此第二中摻雜P型區(qū)（18）的上表面與重?fù)诫sP型區(qū)（15）的下表面接觸，此第二中摻雜P型區(qū)（18）的外側(cè)面延伸至中臺體（2）外側(cè)面；

所述第一PN結(jié)接觸面的中央?yún)^(qū)域具有中心上凸面（19），所述第一PN結(jié)接觸面的邊緣區(qū)域具有邊緣下凹面（20），此邊緣下凹面（20）位于中心上凸面（19）兩側(cè)；所述第二PN結(jié)接觸面的中央?yún)^(qū)域具有中心下凹面（21），所述第二PN結(jié)接觸面的邊緣區(qū)域具有邊緣上凸面（22），此邊緣上凸面（22）位于中心下凹面（21）兩側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述第一中摻雜N型區(qū)（11）與第一輕摻雜N型區(qū)（3）的接觸面為弧形面，所述第一中摻雜P型區(qū)（12）與第一輕摻雜P型區(qū)（14）的接觸面為弧形面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述第二中摻雜N型區(qū)（17）與第二輕摻雜N型區(qū)（5）的接觸面為弧形面，所述第二中摻雜P型區(qū)（18）與第二輕摻雜P型區(qū)（16）的接觸面為弧形面。