[實(shí)用新型]硅通孔結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420291727.5 | 申請日： | 2014-06-03 |
| 公開（公告）號： | CN203895439U | 公開（公告）日： | 2014-10-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 沈哲敏;李廣寧 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時(shí)云 |
| 地址： | 100176 北京市大興區(qū)*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅通孔 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種硅通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硅通孔結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底、硅通孔連線以及具有塑性變形能力的緩沖層，其中，所述硅通孔連線形成于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)，所述緩沖層形成于所述硅通孔連線的表面，并暴露出一部分硅通孔連線。
2.如權(quán)利要求1所述的硅通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硅通孔結(jié)構(gòu)還包括金屬連線層，所述金屬連線層形成于所述緩沖層、硅通孔連線和半導(dǎo)體襯底的表面。
3.如權(quán)利要求2所述的硅通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硅通孔結(jié)構(gòu)還包括介質(zhì)層，所述介質(zhì)層形成于所述金屬連線層的表面。
4.如權(quán)利要求1所述的硅通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述緩沖層為圓柱體。
5.如權(quán)利要求4所述的硅通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述緩沖層橫截面的直徑范圍是3μm～5μm。
6.如權(quán)利要求4所述的硅通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述緩沖層的厚度范圍是1μm～2μm。
7.如權(quán)利要求1或3所述的硅通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述緩沖層位于所述硅通孔連線的中心區(qū)域。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中芯國際集成電路制造（北京）有限公司，未經(jīng)中芯國際集成電路制造（北京）有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420291727.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)平臺結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 單元結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)部件和夾層結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)扶梯結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)隔墻結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)連接結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)
