[實用新型]生長在Ag襯底上的LED外延片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420288968.4 | 申請日： | 2014-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN203895486U | 公開（公告）日： | 2014-10-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李國強 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣州市眾拓光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/12 |
| 代理公司： | 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標事務(wù)所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 湯喜友 |
| 地址： | 510000 廣東省廣州市廣州*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 生長 ag 襯底 led 外延 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.生長在Ag襯底上的LED外延片，其特征在于，包括Ag襯底、AlN緩沖層、U-GaN薄膜層、N-GaN薄膜層、InGaN/GaN多量子阱層和P-GaN薄膜，所述AlN緩沖層、U-GaN薄膜層、N-GaN薄膜層、InGaN/GaN多量子阱層和P-GaN薄膜依次生長在Ag襯底上。
2.如權(quán)利要求1所述的生長在Ag襯底上的LED外延片，其特征在于，所述Ag襯底以(111)晶面為外延面，晶體外延取向關(guān)系為AlN[11-20]//Ag[1-10]。
3.如權(quán)利要求1或2所述的生長在Ag襯底上的LED外延片，其特征在于，所述AlN緩沖層厚度為100nm；所述U-GaN薄膜層厚度為200-350nm；所述N-GaN薄膜層厚度為4000-5000nm；所述InGaN/GaN多量子阱層中，InGaN阱層厚度為3-5nm，GaN壘層厚度為10-15nm，周期數(shù)為5-10；所述P-GaN薄膜厚度為300-400nm。
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