[實用新型]一種具疊層結構的非易失性存儲裝置

有效

• 申請號: 201420271430.2
• 申請日: 2014-05-26
• 公開（公告）號: CN203870535U
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 李驚雷;黃鵬
• 申請（專利權）人: 無錫云動科技發展有限公司
• 主分類號: G06F1/18
• 分類號: G06F1/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及計算機存儲技術領域，尤其涉及一種具疊層結構的非易失性存儲裝置。

背景技術

??由于非易失性存儲裝置（Non-volatile?DIMM）具有在計算機異常掉電時，可將內存條中動態運行的數據備份至閃存；并可在計算機上電后，在主控芯片的控制下根據閃存中數據狀態的標志位信息，引導閃存中的數據重新加載至內存條中，從而提高計算機系統中數據的一致性。因此這種存儲裝置在大型服務器、通訊基站等對數據安全性要求較高的場所具有廣泛的應用，是今后計算機硬件技術發展的趨勢之一。

??現有技術中的非易失性存儲裝置通常由易失性存儲裝置（例如DRAM顆粒所組成的內存條）、非易失性存儲單元（例如NAND型或NOR型閃存）、支撐數據備份操作的備用電源（例如超級電容）、用于控制數據備份與恢復操作的主控芯片，以及用于探測計算機是否發生異常掉電及在掉電后為易失性存儲裝置及非易失性存儲裝置及主控芯片供電的電源檢測控制模塊。

??這些芯片或存儲單元通常使用SMT（表面貼裝技術）固定地與一塊印制電路板電性連接。因此，現有技術中的這種非易失性存儲裝置的結構與尺寸往往比較大，同時也無法對固定貼裝的閃存進行升級，導致這種非易失性存儲裝置的適應性較差。

有鑒于此，有必要對現有技術中的非易失性存儲裝置予以改進，以解決上述問題。

發明內容

本實用新型的目的在于公開一種具疊層結構的非易失性存儲裝置，以實現對內存條或閃存進行擴展升級，并縮小整個非易失性存儲裝置的尺寸。

為實現上述目的，本實用新型提供了一種具疊層結構的非易失性存儲裝置，包括：通過高速接口活動對向插接以實現電性連接的第一印制電路板、第二印制電路板；其中，

所述第一印制電路板沿其縱長延伸方向的邊緣設置DIMM插槽用以活動收容內存條，

所述第二印制電路板反向于高速接口的一側表面設置主控芯片、至少一個閃存擴展插座及至少一個電源接口，以及通過閃存擴展插頭與閃存擴展插座活動電性連接的至少一個閃存擴展印制電路板，所述閃存擴展印制電路板至少設置一個閃存。

作為本實用新型的進一步改進，所述DIMM插槽包括：R-DIMM插槽、U-DIMM插槽、SO-DIMM插槽。

作為本實用新型的進一步改進，所述主控芯片包括FPGA芯片、ASIC芯片。

作為本實用新型的進一步改進，所述電源接口及閃存擴展插座對稱設置在所述主控芯片的兩側。

作為本實用新型的進一步改進，所述第二印制電路板沿其縱長延伸方向的邊緣設置一個PCI-E插頭。

作為本實用新型的進一步改進，所述第二印制電路板所活動連接的閃存擴展印制電路板中的閃存容量與內存條容量之比為2:1~1:1。

作為本實用新型的進一步改進，所述第二印制電路板所活動連接的閃存擴展印制電路板中的閃存容量與內存條容量之比為1.2:1。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：通過本實用新型，可實現對內存條或閃存進行自由地擴展升級，并通過將第一印制電路板及第二印制電路板通過高速接口活動對向插接，以形成疊層結構的非易失性存儲裝置，從而縮小了整個非易失性存儲裝置的尺寸。

附圖說明

圖1為本實用新型一種具疊層結構的非易失性存儲裝置的裝配前的爆炸圖；

圖2為圖1所示的具疊層結構的非易失性存儲裝置裝配后的側視圖；

圖3為圖1中所示第二印制電路板一側的正視圖；

圖4為圖1中所示第二印制電路板的另一側的正視圖；

圖5為圖1中所示閃存擴展印制電路板一側的正視圖。

其中，說明書中具體實施方式中的附圖說明標記如下：

第一印制電路板-10；第二印制電路板-20；內存條-30；閃存擴展印制電路板-40；閃存401；PCI-E插頭201；電源接口-202；主控芯片-205；閃存擴展插座-204；DIMM插槽-301；高速接口-102、203；閃存擴展插頭。

具體實施方式

下面結合附圖所示的各實施方式對本實用新型進行詳細說明，但應當說明的是，這些實施方式并非對本實用新型的限制，本領域普通技術人員根據這些實施方式所作的功能、方法、或者結構上的等效變換或替代，均屬于本實用新型的保護范圍之內。

請參圖1至圖5所示的一種具疊層結構的非易失性存儲裝置的一種具體實施方式。