[實用新型]一種具疊層結構的非易失性存儲裝置

有效

• 申請號: 201420271430.2
• 申請日: 2014-05-26
• 公開（公告）號: CN203870535U
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 李驚雷;黃鵬
• 申請（專利權）人: 無錫云動科技發展有限公司
• 主分類號: G06F1/18
• 分類號: G06F1/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具疊層結構的非易失性存儲裝置（100），其特征在于，包括：通過高速接口（102、203）活動對向插接以實現電性連接的第一印制電路板（10）、第二印制電路板（20）；其中，

所述第一印制電路板（10）沿其縱長延伸方向的邊緣設置DIMM插槽（301）用以活動收容內存條（30），

所述第二印制電路板（20）反向于高速接口（203）的一側表面設置主控芯片（205）、至少一個閃存擴展插座（204）及至少一個電源接口（202），以及通過閃存擴展插頭（404）與閃存擴展插座（204）活動電性連接的至少一個閃存擴展印制電路板（40），所述閃存擴展印制電路板至少設置一個閃存（401）。

2.根據權利要求1所述的非易失性存儲裝置，其特征在于，所述DIMM插槽（301）包括：R-DIMM插槽、U-DIMM插槽、SO-DIMM插槽。

3.根據權利要求1所述的非易失性存儲裝置，其特征在于，所述主控芯片（205）包括FPGA芯片、ASIC芯片。

4.根據權利要求1所述的非易失性存儲裝置，其特征在于，所述電源接口（202）及閃存擴展插座（204）對稱設置在所述主控芯片（205）的兩側。

5.根據權利要求1所述的非易失性存儲裝置，其特征在于，所述第二印制電路板（20）沿其縱長延伸方向的邊緣設置一個PCI-E插頭（201）。

6.根據權利要求1所述的非易失性存儲裝置，其特征在于，所述第二印制電路板（20）所活動連接的閃存擴展印制電路板（40）中的閃存容量與內存條（30）容量之比為2:1~1:1。

7.根據權利要求6所述的非易失性存儲裝置，其特征在于，所述第二印制電路板（20）所活動連接的閃存擴展印制電路板（40）中的閃存（401）容量與內存條（30）容量之比為1.2:1。