[實用新型]容置架及容置框有效
| 申請號： | 201420259139.3 | 申請日： | 2014-05-20 |
| 公開（公告）號： | CN203895430U | 公開（公告）日： | 2014-10-22 |
| 發明（設計）人： | 施淑貞;徐金鳳 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/687 | 分類號： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 100176 北京市大興區*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 容置架 容置框 | ||
【權利要求書】：
1.一種容置架，其特征在于：包括多個容置空間，所述容置空間在水平方向互相連通，每一所述容置空間包含底座和兩側的隔離件，且相鄰的所述容置空間共用所述隔離件。
2.如權利要求1所述的容置架，其特征在于：所述容置空間每一側的隔離件連接所述容置架的底座和頂端且所述隔離件互相連接成V字形，所述容置空間兩側的隔離件互相平行。
3.如權利要求1所述的容置架，其特征在于：更包含連接件，每一側的所述連接件平行于一底面連接所述容置架的頂端。
4.如權利要求1所述的容置架，其特征在于：所述容置架包括三個容置空間。
5.如權利要求1所述的容置架，其特征在于：所述容置架適于容置圓形物體。
6.如權利要求1-5中任意一項所述的容置架，其特征在于：所述隔離件為棒狀。
7.如權利要求1-5中任意一項所述的容置架，其特征在于：所述隔離件的材質是不銹鋼。
8.一種容置框，其特征在于：主要由如權利要求1-7任意一項所述的容置架并排組成，相鄰的所述容置架共用所述隔離件。
9.如權利要求8所述的容置框，其特征在于：所述容置框的底部設置有通氣孔。
10.如權利要求8所述的容置框，其特征在于：所述容置框的頂部的拐角處通過定位塊固定。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
