[實用新型]新型封裝結構的半導體器件

有效

• 申請號: 201420256714.4
• 申請日: 2014-05-20
• 公開（公告）號: CN203871332U
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 賴芳奇;呂軍;張志良;陳勝
• 申請（專利權）人: 蘇州科陽光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 馬明渡;王健

技術領域

本實用新型涉及一種新型封裝結構的半導體器件，屬于半導體封裝技術領域。

背景技術

半導體器件是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC?產品。現有晶圓級芯片封裝結構主要存在以下技術問題：

（1）現有的在晶圓上的盲孔內填充的金屬良率有一定的局限性，應力大，可靠性水平低，暴露環境中，極易被氧化腐蝕，導致產品失效，化學性質穩定差，且隨著晶圓級封裝通孔硅互連技術朝高深寬比的方向發展，法滿足高深寬比的深孔內金屬層連續覆蓋孔內壁的要求，其次，危害，對環境有污染。所以需要找到一種對環境友好，功能上可以與鍍金層媲美的金屬鍍層來替代鍍金；

（2）現有封裝結構中圍堰邊緣與感應芯片感光區都需要保留一定的距離，防止在玻璃滾膠、壓合的過程中，膠體溢到感應芯片感光區，影響成像品質。由于溢膠的限制，圍堰的寬度純在比較大的局限性，直接影響到CIS產品的可靠性，容易出現分層的問題。

發明內容

本實用新型目的是提供一種新型封裝結構的半導體器件，該半導體器件緩解了應力暴露環境中，不易被氧化腐蝕，化學性質穩定好，且能滿足高深寬比的深孔內金屬層連續覆蓋孔內壁的要求，有效緩沖盲孔兩側金屬在冷熱環境下所發生的應力形變，減小了器件的響應時間。

為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是：一種新型封裝結構的半導體器件，包括圖像傳感芯片、透明蓋板，此圖像傳感芯片的上表面具有感光區，所述透明蓋板邊緣和圖像傳感芯片的上表面邊緣之間具有支撐圍堰從而在透明蓋板和圖像傳感芯片之間形成空腔，此支撐圍堰與圖像傳感芯片之間通過膠水層粘合，圖像傳感芯片下表面的四周邊緣區域分布有若干個盲孔，所述圖像傳感芯片下表面和盲孔側表面具有鈍化層，此盲孔底部具有圖像傳感芯片的引腳焊盤，所述鈍化層與圖像傳感芯片相背的表面和盲孔內具有與引腳焊盤電連接的具有金屬導電圖形層，一防焊層位于金屬導電圖形層與鈍化層相背的表面，此防焊層上開有若干個通孔，一焊球通過所述通孔與金屬導電圖形層電連接，所述支撐圍堰由上下疊放的第一支撐圍堰層和第二支撐圍堰層組成，此第一支撐圍堰層與透明蓋板接觸，此第二支撐圍堰層與圖像傳感芯片接觸，所述第二支撐圍堰層內側面具有若干個連續排列的V形缺口，所述第二支撐圍堰層四個拐角處均設有弧形缺口；所述金屬導電圖形層由鈦層、銅層、鎳層和鈀層依次疊放組成，所述鈦層與鈍化層接觸。

上述技術方案中進一步改進的方案如下：

上述方案中，所述盲孔中心處具有防焊柱。

由于上述技術方案運用，本實用新型與現有技術相比具有下列優點和效果：

1.?本實用新型新型封裝結構的半導體器件，其鈍化層與圖像傳感芯片相背的表面和盲孔內具有與引腳焊盤電連接的金屬導電圖形層，金屬導電圖形層由鈦層、銅層、鎳層和鈀層依次疊放組成，所述鈦層與鈍化層接觸，緩解了應力，可靠性高，暴露環境中，不易被氧化腐蝕，化學性質穩定好，且能滿足高深寬比的深孔內金屬層連續覆蓋孔內壁的要求；其次，盲孔中心處具有防焊柱有效緩沖盲孔兩側金屬在冷熱環境下所發生的應力形變，防止產品在惡劣環境下失效，且減小了器件的響應時間。

2.?本實用新型新型封裝結構的半導體器件，其支撐圍堰與圖像傳感芯片之間通過膠水層粘合，支撐圍堰由上下疊放的第一支撐圍堰層和第二支撐圍堰層組成，第二支撐圍堰層與圖像傳感芯片接觸，第二支撐圍堰層內側面具有若干個連續排列的V形缺口，第二支撐圍堰層四個拐角處均設有弧形缺口，與透明蓋板接觸的第一支撐圍堰層采取光滑設計，膠水在鍵合的過程中，缺口部位可以有效的聚集溢出的膠水，防止膠水擴散，同時與玻璃接錯的圍堰部分，可以保證原來的寬度，在不減少支撐圍堰寬度保圖像傳感器件封裝結合力的前提下，流動的部分聚集到缺口中，防止了膠水擴散，可靠性增加同時進一步減少了器件體積。

附圖說明

附圖1為本實用新型新型封裝結構的半導體器件結構示意圖；

附圖2為本實用新型新型封裝結構的半導體器件中支撐圍堰結構示意圖；

附圖3為本實用新型新型封裝結構的半導體器件局部結構示意圖。