[實用新型]新型封裝結構的半導體器件

有效

• 申請號: 201420256714.4
• 申請日: 2014-05-20
• 公開（公告）號: CN203871332U
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 賴芳奇;呂軍;張志良;陳勝
• 申請（專利權）人: 蘇州科陽光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 馬明渡;王健

1.?一種新型封裝結構的半導體器件，其特征在于：包括圖像傳感芯片（1）、透明蓋板（2），此圖像傳感芯片（1）的上表面具有感光區（3），所述透明蓋板（2）邊緣和圖像傳感芯片（1）的上表面邊緣之間具有支撐圍堰（4）從而在透明蓋板（2）和圖像傳感芯片（1）之間形成空腔（13），此支撐圍堰（4）與圖像傳感芯片（1）之間通過膠水層（5）粘合，圖像傳感芯片（1）下表面的四周邊緣區域分布有若干個盲孔（6），所述圖像傳感芯片（1）下表面和盲孔（6）側表面具有鈍化層（7），此盲孔（6）底部具有圖像傳感芯片（1）的引腳焊盤（8），所述鈍化層（7）與圖像傳感芯片（1）相背的表面和盲孔（6）內具有與引腳焊盤（8）電連接的具有金屬導電圖形層（9），一防焊層（10）位于金屬導電圖形層（9）與鈍化層（7）相背的表面，此防焊層（10）上開有若干個通孔（11），一焊球（12）通過所述通孔（11）與金屬導電圖形層（9）電連接，所述支撐圍堰（4）由上下疊放的第一支撐圍堰層（41）和第二支撐圍堰層（42）組成，此第一支撐圍堰層（41）與透明蓋板（2）接觸，此第二支撐圍堰層（42）與圖像傳感芯片（1）接觸，所述第二支撐圍堰層（42）內側面具有若干個連續排列的V形缺口（14），所述第二支撐圍堰層（42）四個拐角處均設有弧形缺口（15）；所述金屬導電圖形層（9）由鈦層（16）、銅層（17）、鎳層（18）和鈀層（19）依次疊放組成，所述鈦層（16）與鈍化層（7）接觸。

2.?根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：所述盲孔（6）中心處具有防焊柱（20）。