[實用新型]一種用于多晶鑄錠生產的二次摻雜裝置

有效

• 申請號: 201420251182.5
• 申請日: 2014-05-15
• 公開（公告）號: CN203866405U
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 張蘇州
• 申請（專利權）人: 浙江溢閎光電科技有限公司
• 主分類號: C30B31/06
• 分類號: C30B31/06
• 代理公司: 杭州豐禾專利事務所有限公司 33214
• 代理人: 曹康華

技術領域

本實用新型屬于多晶硅生產設備領域，尤其涉及一種用于多晶鑄錠生產的二次摻雜裝置。

背景技術

目前光伏行業的主要原材料是半導體材料硅，完全不含雜質且無晶格缺陷的純凈半導體稱為本征半導體。常溫下，本征半導體的電導率較小，載流子對溫度變化敏感，所以很難對其半導體特性進行控制。摻入雜質的本征半導體稱為雜質半導體，半導體中的雜質對電導率的影響非常大，本征半導體經過摻雜就形成雜質半導體，一般可分為N型半導體和P型半導體。在本征半導體硅或鍺中摻入微量的5價元素，形成N型半導體；在本征半導體硅或鍺中，若摻入微量的3價元素，形成P型半導體。

在實際的多晶硅鑄錠生產中，目前以P型為主。在對坩堝內的多晶硅料進行摻雜時，現有的方法需要先停止多晶鑄錠爐的運行，然后打開爐腔，對坩堝內進行摻雜，這種方法操作較為復雜，因需要打開爐腔，所以要先停止設備的運行，從而影響了生產效率，另外這種方法的摻雜劑的用量難以控制，因此會影響多晶硅的電阻率。

發明內容

為了解決上述的技術問題，本實用新型的目的是提供一種結構設計合理，使用方便，無需打開爐腔進行操作的用于多晶鑄錠生產的二次摻雜裝置。

為了實現上述的目的，本實用新型采用了以下的技術方案：

一種用于多晶鑄錠生產的二次摻雜裝置，包括多晶鑄錠爐、坩堝和進氣管，所述坩堝固定安裝在多晶鑄錠爐內，所述進氣管的一端與坩堝上部相連接，進氣管的另一端延伸到多晶鑄錠爐的外部，所述進氣管位于多晶鑄錠爐外部的一端還依次連接有進氣支管和三通容器，所述三通容器的三個接口分別為用于連接氬氣供應裝置的氬氣進氣口、用于與進氣支管連接的進氣接口和用于將摻雜劑加入三通容器的摻雜接口，所述氬氣進氣口處設有一號閥，所述進氣接口處設有二號閥，所述摻雜接口處設有三號閥。

作為優選方案：所述摻雜接口上還開有摻雜孔，所述摻雜孔通過密封件密封。

作為優選方案：所述一號閥、二號閥和三號閥均為手動旋塞閥。手動旋塞閥具有啟閉迅速、輕便，結構簡單，相對體積小，重量輕，便于維修，密封性能好的優點。

作為優選方案：所述三通容器的進氣接口、氬氣進氣口和摻雜接口的內徑均為20mm。可保證三通容器一次摻雜的劑量。

本實用新型與現有技術相比，具有以下優點和效果：由于空氣中含有氧氣及水蒸氣，二者會影響多晶硅品質，而本裝置在使用時無需打開爐腔，通過三通容器的摻雜接口即可完成摻雜過程，進而保證不將空氣混入爐腔內，可確保多晶硅的品質；且本裝置摻雜過程無需停止設備運行，可提高生產效率。本實用新型結構簡單，設計合理，操作方便。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型的具體實施方式做一個詳細的說明。

如圖1所示的一種用于多晶鑄錠生產的二次摻雜裝置，包括多晶鑄錠爐1、坩堝2和進氣管3，所述坩堝2固定安裝在多晶鑄錠爐1內，所述進氣管3的一端與坩堝2上部相連接，進氣管3的另一端延伸到多晶鑄錠爐1的外部，所述進氣管3位于多晶鑄錠爐1外部的一端還依次連接有進氣支管4和三通容器5，所述三通容器5的三個接口分別為用于連接氬氣供應裝置的氬氣進氣口51、用于與進氣支管4連接的進氣接口52和用于將摻雜劑加入三通容器5的摻雜接口53，所述氬氣進氣口51處設有一號閥54，所述進氣接口52處設有二號閥55，所述摻雜接口53處設有三號閥56,所述摻雜接口53上還開有摻雜孔，所述摻雜孔通過密封件密封。

本實施例中的一號閥54、二號閥55和三號閥56均為手動旋塞閥，手動旋塞閥具有啟閉迅速、輕便，結構簡單，相對體積小，重量輕，便于維修，密封性能好的優點。

本實施例中的進氣支管4位于多晶鑄錠爐1的外部，而三通容器5、一號閥54、二號閥55和三號閥56也相應的位于多晶鑄錠爐1的外部，因而便于操作和維護，無需打開多晶鑄錠爐1。

本實施例中的三通容器5的進氣接口、出氣接口和摻雜接口的內徑均為20mm，可保證三通容器5內的容量，保證三通容器5一次摻雜的劑量，減少操作次數。

本實施例中的三通容器5為不銹鋼材質，可增加使用壽命,坩堝2為石英陶瓷坩堝。