[實用新型]用于加熱CVD反應器的基座的設備有效
| 申請號: | 201420247512.3 | 申請日: | 2014-05-14 |
| 公開(公告)號: | CN204162789U | 公開(公告)日: | 2015-02-18 |
| 發明(設計)人: | P-A.伯丁;M.E.奧彭;K.艾倫;F.M.A.克勞利 | 申請(專利權)人: | 艾克斯特朗歐洲公司 |
| 主分類號: | C23C16/46 | 分類號: | C23C16/46 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 侯宇 |
| 地址: | 德國黑*** | 國省代碼: | 德國;DE |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 加熱 cvd 反應器 基座 設備 | ||
技術領域
本發明涉及一種用于加熱尤其CVD(化學氣相沉積)反應器的基座的設備,具有至少一個加熱件,其中,所述加熱件的部段或者不同的加熱件并排延伸并且借助支撐件相對于支撐板被位置固定,其中,所述支撐件分別具有形狀接合地、牢固地插入所述支撐板的固定開口內的支腳,并且其中與橫向于所述支撐板的延伸面延伸的柄部相連接的頭部固定在頸部件上。?
本發明還涉及一種用于加熱尤其CVD反應器的基座的設備,具有至少一個加熱件,所述加熱件與至少一個接觸板相連接,所述接觸板借助連接件相對于支撐板被位置固定。?
背景技術
CVD反應器具有反應器殼體,處理室處于反應器殼體內。反應器殼體將處理室氣密地與周圍環境相隔絕。進氣機構處于在反應器殼體內,氣體原料通過進氣機構被導入處理室中。待涂覆的基板安置在基座上。基座構成處理室的底板,氣體原料被輸入到處理室內。為了在基板上沉淀層,基板表面必須被加熱到處理溫度,該處理溫度在1000℃范圍內。這通過安置在基座下面的加熱設備實現。位于基座幾厘米之上的進氣機構常常例如通過冷卻液被冷卻。由此,在處理室內產出了變化劇烈的垂直溫度差,其導致從基座到進氣機構的加大的放熱。因此為了達到處理溫度,需要加熱設備以較大的導熱率進行輸入。加熱設備的加熱件必須將溫度加熱到約2000℃。此外還需要大面積的加熱。?
US?7,645,342?B2描述了一種加熱設備,具有圍繞中心圓弧形布置的加熱絲。加熱絲借助支撐件與支撐板相連接。?
在DE?26?30?466?A1或US?3,345,498中描述了一種沿螺旋線延伸的加熱件。US?7,573,004也示出一種在圓弧線上延伸的加熱件。由US?3,567,906已知一種波紋形狀延伸的加熱件。?
例如DE?10?2009?043?960?A1、DE?10?2007?009?145?A1、DE?103?29?107?A1、?DE?10?2005?056?536?A1、DE?10?2006?018?515?A1或DE?10?2007?027?704?A1示出一種用于加熱CVD反應器的基座的設備。?
發明內容
按照本發明的設備的加熱件通過接通電流進行加熱。各個加熱機構的兩個端部與接觸板相連接。加熱件安置在至少一個平面內。但是也可行的是,加熱件在相互不同的平行平面內安置。加熱件在相應的平面上沿圓弧形或螺旋形的線延伸。尤其規定,加熱件螺旋形地安置。這使得彼此不同的加熱器或同一個加熱器的不同的部段并排地延伸。為了如此固定并排延伸的加熱器的位置,使得即便在加熱或冷卻時加熱設備的部件劇烈移動的情況下,它們也不會相接觸,因此設置有支撐件,其將加熱件在多個位置、尤其在相互均勻間隔的位置上與支撐板相連接。此外還設置有連接件,一個或多個接觸板通過連接件與支撐板相連接。所述連接件還具有的作用是,避免不同的接觸板在加熱設備加熱和冷卻時彼此接觸。?
本發明所要解決的技術問題是,改進支撐件或連接件在加熱設備上的固定。?
所述技術問題通過按照本發明的用于加熱尤其CVD反應器的基座的設備得以解決。?
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于艾克斯特朗歐洲公司,未經艾克斯特朗歐洲公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420247512.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種改進結構的氫氧產生機電極組
- 下一篇:一種可生成圖案的磁控濺射卷繞鍍膜機
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





