[實(shí)用新型]一種DRAM雙芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420242768.5
• 申請(qǐng)日: 2014-05-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203839371U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孟新玲;隋春飛;劉昭麟;戶俊華;栗振超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 山東華芯半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/065
• 分類號(hào): H01L25/065;H01L23/492
• 代理公司: 濟(jì)南泉城專利商標(biāo)事務(wù)所 37218
• 代理人: 丁修亭

1.一種DRAM雙芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

基板（1），設(shè)有基板電路并具有第一面和與該第一面相對(duì)的第二面；

第一芯片（3），正面朝向基板（1）而倒裝于所述基板（1）；

第二芯片（5），背面貼裝于所述第一芯片的背面，并通過(guò)引線（6）與所述基板（1）鍵合；以及

封裝體（2），用于將基板（1）、第一芯片（3）以及第二芯片（5）封裝為一體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DRAM雙芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，第二芯片（5）與第一芯片（3）之間通過(guò)封裝膠或者DAF膜（4）相粘接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的DRAM雙芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，由第一芯片（3）倒裝于基板（1）而形成的倒裝結(jié)構(gòu)在第一芯片（3）與基板（1）間由倒裝凸點(diǎn)（7）支撐而形成填充間隙；

所述封裝體（2）包含用于填充所述填充間隙的部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的DRAM雙芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述倒裝凸點(diǎn)（7）為焊料凸點(diǎn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的DRAM雙芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，在第二面上設(shè)有用于固定錫球（8）的圓形焊盤。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的DRAM雙芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板為雙層基板。