[實用新型]一種靈敏放大器和閃存存儲裝置

有效

• 申請號: 201420239385.2
• 申請日: 2014-05-12
• 公開（公告）號: CN203870979U
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 陳曉璐
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C7/06
• 分類號: G11C7/06;G11C7/10
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬;鄧猛烈

1.一種靈敏放大器，其特征在于，所述靈敏放大器包括偏置電路和放大電路，?

所述偏置電路的一端與電源連接，所述偏置電路的另一端與所述放大電路的第一端連接，所述偏置電路用于當所述靈敏放大器工作時，向所述放大電路輸出第一偏置電壓，當所述靈敏放大器不工作時，向所述放大電路輸出第二偏置電壓，所述第二偏置電壓位于接地電壓與所述第一偏置電壓之間；?

所述放大電路的第二端與電源連接，所述放大電路的第三端用于輸出穩定的電壓。?

2.根據權利要求1所述的靈敏放大器，其特征在于，所述偏置電路包括：第一輸入端、第二輸入端、反相器、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第三PMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管；?

所述反相器的輸入端與所述第一輸入端連接，所述反相器的輸出端與所述第一PMOS管的柵極連接；所述第一PMOS管的源極與所述第二PMOS管的漏極連接，所述第一PMOS管的漏極與所述第二NMOS管的源極連接，所述第二PMOS管的柵極與所述第二輸入端連接，所述第二PMOS管的源極與電源連接；?

所述第一NMOS管的柵極與所述反相器的輸出端連接，所述第一NMOS管的源極與所述第三PMOS管的漏極連接，所述第一NMOS管的漏極與所述第二NMOS管的柵極連接，所述第三PMOS管的柵極與所述第二輸入端連接，所述第三PMOS管的源極與電源連接；?

所述第二NMOS管的源極與所述第一PMOS管的漏極連接，所述第二NMOS管的柵極與所述第一NMOS管的漏極連接，所述第二NMOS管的漏極接地；?

所述第三NMOS管的源極與所述偏置電路的另一端連接，所述偏置電路的另一端為所述第一NMOS管的漏極和所述第二NMOS管的柵極的中點，所述第三NMOS管的柵極與所述放大電路的第三端連接，所述第三NMOS管的漏極接地。?

3.根據權利要求2所述的靈敏放大器，其特征在于，所述放大電路包括第三輸入端、第四PMOS管和第四NMOS管；?

所述第四PMOS管的柵極與所述第三輸入端連接，所述第四PMOS管的源極與電源連接，所述第四PMOS管的漏極與所述第四NMOS管的源極連接；?

所述第四NMOS管的柵極與所述偏置電路的另一端連接，所述第四NMOS管的漏極與所述第三NMOS管的柵極連接。?

4.根據權利要求3所述的靈敏放大器，其特征在于，所述第三輸入端輸入恒定的低電平，使得所述第四PMOS管處于導通狀態。?

5.根據權利要求2所述的靈敏放大器，其特征在于，?

當所述第一輸入端輸入高電平，所述第二輸入端輸入低電平時，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管導通，所述第一NMOS管截止，根據流過所述第二PMOS管的電流向所述放大電路輸出第一偏置電壓；?

當所述第一輸入端輸入低電平，所述第二輸入端輸入低電平時，所述第一PMOS管截止，所述第一NMOS管和所述第三PMOS管導通，根據流過所述第三PMOS管的電流向所述放大電路輸出第二偏置電壓。?

6.根據權利要求5所述的靈敏放大器，其特征在于，根據所述第二PMOS管與所述第三PMOS管的比值確定所述第二偏置電壓與所述第一偏置電壓的差值。?

7.根據權利要求6所述的靈敏放大器，其特征在于，所述第二PMOS管?與所述第三PMOS管的比值為：?

第二PMOS管的數目M乘以第二PMOS管的寬長比與第三PMOS管的數目N乘以第三PMOS管的寬長比的比值，其中，M和N分別為大于1的整數。?

8.一種閃存存儲裝置，其特征在于，所述閃存存儲裝置包括閃存存儲單元和靈敏放大器，所述閃存存儲單元和所述靈敏放大器連接，其中，所述靈敏放大器包括如權利要求1-7中任一項所述的靈敏放大器。?

9.根據權利要求8所述的閃存存儲裝置，其特征在于，所述閃存存儲裝置還包括第五NMOS管，所述第五NMOS管的源極與所述靈敏放大器的放大電路的第三端連接，所述第五NMOS管的漏極與所述閃存存儲單元連接，所述第五NMOS管的柵極與電源連接，所述第五NMOS管用于選通所述閃存存儲單元。?