[實用新型]一種用于晶圓的存儲腔裝置有效
| 申請號: | 201420225691.0 | 申請日: | 2014-05-05 |
| 公開(公告)號: | CN203826358U | 公開(公告)日: | 2014-09-10 |
| 發明(設計)人: | 牛正基;奚曉明;吳新江;鄧義彬 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人: | 李儀萍 |
| 地址: | 100176 北京市大興區大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 存儲 裝置 | ||
1.一種用于晶圓的存儲腔裝置,其特征在于,所述用于晶圓的存儲腔裝置至少包括:
存儲腔及位于該存儲腔底部并采用底柱支撐的底層托盤以及位于該底層托盤上的至少一層上層托盤;所述上層托盤由設置在所述底層托盤上的至少兩個支柱支撐;
所述底層和上層托盤上表面的左右兩邊分別設有至少兩個曲孔;所述每個曲孔中卡有高于該托盤上表面的曲釘;所述左右兩邊每一邊的所述曲釘相互連接為一體;
上層托盤中的所述曲孔通過所述支柱與位于其下層的托盤的曲孔貫通;所述底層托盤的曲孔通過所述底柱以及所述存儲腔底部與連接在所述存儲腔外部的一抽氣管貫通。
2.根據權利要求1所述的用于晶圓的存儲腔裝置,其特征在于:所述裝置還包括與所述存儲腔相連接的充氣管,所述充氣管中的氣體為惰性氣體。
3.根據權利要求2所述的用于晶圓的存儲腔裝置,其特征在于:所述充氣管中的惰性氣體為氮氣。
4.根據權利要求1所述的用于晶圓的存儲腔裝置,其特征在于:所述上層托盤或底層托盤的曲孔以及曲釘的個數分別七個,所述每個曲孔中有一個曲釘;所述上層托盤或底層托盤的左右兩邊分別有三個和四個曲釘。
5.根據權利要求4所述的用于晶圓的存儲腔裝置,其特征在于:所述每個曲釘沿紙面所在平面的截面形狀為L型。
6.根據權利要求1所述的用于晶圓的存儲腔裝置,其特征在于:所述每個曲釘高于所述托盤上表面的高度為1毫米至3毫米。
7.根據權利要求1所述的用于晶圓的存儲腔裝置,其特征在于:所述上層或底層托盤的曲孔之間的貫通以及所述底層托盤曲孔與所述存儲腔底柱以及所述存儲腔體之間的貫通是通過孔徑為3毫米至6毫米的曲線通孔形成的貫通。
8.根據權利要求1所述的用于晶圓的存儲腔裝置,其特征在于:所述曲釘的材質為陶瓷。
9.根據權利要求1所述的用于晶圓的存儲腔裝置,其特征在于:所述托盤的材質為鋁。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





