[實用新型]多孔金屬真空吸附工作盤有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420209219.8 | 申請日: | 2014-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN203983251U | 公開(公告)日: | 2014-12-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李豐 | 申請(專利權)人: | 李豐 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 無 | 代理人: | 無 |
| 地址: | 110000 遼寧省*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多孔 金屬 真空 吸附 工作 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種多孔金屬真空吸附工作盤。
背景技術
在半導體后封裝切割工藝中,需要用到真空吸附工作盤,它是吸附及承載的專用工具,應用于半導體晶片減薄、劃片、清洗和搬運等工序。現(xiàn)有技術中常用的真空吸附工作盤一般為多孔陶瓷工作盤。
多孔陶瓷主要缺點為:材料的脆性;缺乏完整材料的大規(guī)模生產(chǎn)系統(tǒng);缺乏對材料的孔徑大小、形狀分布等的精確控制方法;缺乏連續(xù)生產(chǎn)工藝;缺乏將孔結構與力學性能相聯(lián)系的有效模型;材料間連接技術的不足;多孔泡沫制備中溶劑提取法的簡化;合成催化劑的活性和尺寸選擇性;完整的膜凈化方法;生產(chǎn)成本高。
由多孔陶瓷制成的真空吸附工作盤也就有以上多孔陶瓷的缺點,這種工作盤的硬度不佳,材料脆易于損壞,與切割設備的配合不好,也與半導體材料配合精度不良,導致晶片制造工藝的良率低。
實用新型內(nèi)容
基于以上問題現(xiàn)實問題分析,本實用新型公開了一種多孔金屬真空吸附工作盤,其吸附能力強,配合精度好,提高半導體晶片的生產(chǎn)良率。
本實用新型的多孔金屬真空吸附工作盤,包括多孔金屬盤、金屬底座和定位固定塊;其中金屬底座為環(huán)狀,多孔金屬盤位于環(huán)狀金屬底座的內(nèi)側(cè),定位固定塊位于金屬底座的外側(cè);定位固定塊上設置有定位凹槽,定位凹槽包括一個第一凹槽和兩個第二凹槽,兩個第二凹槽位于第一凹槽的兩側(cè)。
附圖說明
附圖1為本實用新型的多孔金屬真空吸附工作盤的結構示意圖。
其中附圖1標記為:1金屬底座,2多孔金屬盤,3定位固定塊,4第一定位凹槽,5第二定位凹槽。
具體實施方式
一種多孔金屬真空吸附工作盤,如附圖1所示,包括多孔金屬盤2、金屬底座1和定位固定塊3;其中金屬底座2為環(huán)狀,多孔金屬盤1位于環(huán)狀金屬底座2的內(nèi)側(cè),定位固定塊3位于金屬底座的外側(cè),對稱分布四塊。
定位固定塊3上設置有定位凹槽,定位凹槽包括一個第一凹槽4和兩個第二凹槽5,兩個第二凹槽5位于第一凹槽4的兩側(cè)。
多孔金屬盤是由多孔金屬做成,金屬本體是由微小球狀體經(jīng)高溫燒結而成,多孔金屬盤與金屬底座的有效結合,實現(xiàn)真空吸附工作物的功能。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于李豐;,未經(jīng)李豐;許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420209219.8/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種上片架浮動定位框
- 下一篇:一種壓接式絕緣型電力半導體模塊的共用電極
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





