[實用新型]多孔金屬真空吸附工作盤有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420209219.8 | 申請日： | 2014-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN203983251U | 公開（公告）日： | 2014-12-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李豐 | 申請（專利權(quán)）人： | 李豐 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 110000 遼寧省*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多孔 金屬 真空 吸附 工作 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種多孔金屬真空吸附工作盤，其特征在于，所述多孔金屬真空吸附工作盤包括多孔金屬盤、金屬底座和定位固定塊；
所述金屬底座為環(huán)狀，多孔金屬盤位于環(huán)狀金屬底座的內(nèi)側(cè)，定位固定塊位于金屬底座的外側(cè)；
所述定位固定塊上設(shè)置有定位凹槽，定位凹槽包括一個第一凹槽和兩個第二凹槽，兩個第二凹槽位于第一凹槽的兩側(cè)。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
