[實用新型]一種高頻小功率晶體管的封裝裝置

有效

• 申請號: 201420206320.8
• 申請日: 2014-04-25
• 公開（公告）號: CN203800024U
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: 陳友龍;趙智平;田文燕;陳江
• 申請（專利權）人: 中國振華集團永光電子有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/56
• 代理公司: 貴陽中新專利商標事務所 52100
• 代理人: 劉楠

技術領域

本實用新型涉及一種高頻小功率晶體管的封裝裝置，屬于晶體管封裝技術領域。

背景技術

由于高頻小功率晶體管的封裝外形很小，現有的封裝電極在封裝過程中晶體管底座上的極性標志處極易放電，致使極性標志與封裝裝置上的下電極熔接在一起，造成封裝好的晶體管不易從下電極上取出，或取出后產品外觀收到嚴重損傷；也有可能還會造成晶體管管殼內產生不必要的多余物，產品封裝成品率較低，在70%左右。隨著電子產品的高集成度，小型化的發展，高頻小功率晶體管的市場需求量越來越大，產品的封裝成品率嚴重影響到產品的供貨周期及加工成本。

發明內容

本實用新型的目的在于，提供一種高頻小功率晶體管的封裝裝置，以解決高頻小功率晶體管封裝過程中晶體管底座上的極性標志與下電極焊接在一起的問題。

本實用新型的技術方案：

一種高頻小功率晶體管的封裝裝置，包括下電極和上電極，下電極底部為圓管狀，圓管外圓的半徑小于晶體管管座中心與極性標志根部之間的距離。

上述下電極底部的圓管內外徑之差小于1mm。

由于采用了上述技術方案，本實用新型與現有技術相比，本實用新型通過對上電極的改進，避免了晶體管管座上極性標志與下電極之間的放電，使得晶體管封裝的合格率由現有的不足75%提高至95%以上，封裝效果良好。

附圖說明

圖1是本實用新型的結構示意圖；

圖2是上電極與晶體管管座的接觸面的示意圖。

圖中的標記為：1-下電極，2-上電極，3-極性標志，4-晶體管管座，5-晶體管外殼，6-上電極與晶體管管座的接觸面，S-晶體管管座中心與極性標志根部之間的距離。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步的詳細說明，但不作為對本實用新型的任何限制。

實施例

本實用新型是根據下述的一種高頻小功率晶體管的封裝方法所構建的，如圖1所示，該方法是通過改變上電極與晶體管管座的接觸位置，使上電極2與晶體管管座4接觸時能夠有效避開極性標志3；同時通過減小上電極2與晶體管管座4的接觸面積，使焊接時可以減小焊接電流而確保焊接處的電流密度不變而不影響晶體管管座與晶體管管殼5之間的焊接質量。上電極2底部為圓管狀，圓管底部與晶體管管座4的接觸面為環形，環形的內外徑之差小于1mm。

根據上述方法構建的本實用新型的一種高頻小功率晶體管的封裝裝置的結構示意圖如圖1所示，該裝置包括下電極1和上電極2，下電極1底部為圓管狀，圓管外圓的半徑R小于晶體管管座中心與極性標志3根部之間的距離S；其下電極1底部的圓管內外徑之差小于1mm。