[實用新型]一種提高MOCVD外延片均勻性的實用石墨盤

有效

• 申請號: 201420203206.X
• 申請日: 2014-04-24
• 公開（公告）號: CN203820926U
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發明（設計）人: 李鴻漸;李盼盼;李志聰;孫一軍;王國宏
• 申請（專利權）人: 揚州中科半導體照明有限公司
• 主分類號: C30B25/12
• 分類號: C30B25/12
• 代理公司: 揚州市錦江專利事務所 32106
• 代理人: 江平

技術領域

本實用新型涉及MOCVD外延片生產技術領域，特別是MOCVD外延生產設備——石墨盤的設計。

背景技術

MOCVD是指金屬有機物化學氣相沉積設備，目前廣泛應用于III-V化合物半導體薄膜材料的生長。載氣把Mo有機源帶入反應室，在襯底上反應，形成薄膜材料。襯底放置于石墨盤上，通過燈絲或者射頻進行加熱，加熱溫度為500~1200?℃。石墨盤由高純石墨組成，并包裹SiC。加熱單元在石墨盤下面。目前Aixtron公司的G5?MOCVD外延石墨盤的缺點在于：外延生長過程中，載氣(H2或者N2)通過大石墨盤上的通氣小孔吹起小石墨盤，讓其進行自轉，小石墨盤上有7個片槽，1個中心片槽和6個對稱的邊緣片槽。大石墨盤底部的加熱單元通過載氣，把熱量傳遞到置于小石墨盤盤片槽的襯底上。由于栓是由導熱性很好的鈦金屬構成，小石墨盤盤上中心片的中心溫度會明顯高于邊緣溫度，同時又會高于邊緣片的溫度。這樣會導致中心片中心波長比邊緣短，同時中心片波長比邊緣片短。小石墨盤內部溫度不均勻造成小石墨盤生長的外延片均一性不好。

實用新型內容

本實用新型目的在于針對以上問題，提供一種提高MOCVD外延片均勻性的實用石墨盤。

本實用新型包括包括大石墨盤、小石墨盤，在大磨盤上設有通氣小孔和栓，在小石墨盤中心的背部設置與栓匹配的支撐凹槽，所述小石墨盤通過支撐凹槽和栓的配合布置在大石墨盤的上方；在小石墨盤上設置有中心片槽和邊緣片槽，所述邊緣片槽沿中心片槽的外周均布；在所述小石墨盤的中心片槽的內底邊沿設有石墨三角形支撐物。

本實用新型通過對現有小石磨盤進行改良，在小石磨盤中心片槽底部周圍放置石墨的三角形支撐物，改善了由于栓導熱造成的小盤中心局部溫度較高，從而降低小石墨盤中心和邊緣溫度差異，最終獲得均勻性很好的外延片。

附圖說明

圖1為本實用新型的一種結構示意圖；

圖2為圖1的俯視圖。

具體實施方式

如圖1所示，本實用新型包括大石墨盤1、小石墨盤2，在生產時大石墨盤下方布置有加熱單元9；在大磨盤1上設有通氣小孔3和栓4，在小石墨盤2中心的背部設置與栓4匹配的支撐凹槽5，小石墨盤2通過支撐凹槽5和栓4的配合布置在大石墨盤1的上方；在小石墨盤2上設置有一個中心片槽6和六個邊緣片槽7，所述六個邊緣片槽7沿中心片槽6的外周均布；在小石墨盤2的中心片槽6的內底邊沿設有石墨三角形支撐物8。