[實用新型]一種鍍膜設備

有效

• 申請號: 201420200549.0
• 申請日: 2014-04-23
• 公開（公告）號: CN203794985U
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: 艾青南;劉東;潘夢霄;周賀
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: C23C16/513
• 分類號: C23C16/513;C23C16/458
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本實用新型涉及顯示器技術領域，尤其涉及一種鍍膜設備。

背景技術

在薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，TFT-LCD)制造過程中，化學氣相沉積(Chemical?Vapor?Deposition，CVD)鍍膜是在玻璃基板上形成TFT的重要工序之一，其中，CVD鍍膜設備是在高溫真空環境下利用高頻電壓使反應氣體生成等離子體最后形成固態半導體沉積在玻璃基板上。為了使玻璃基板上能夠形成均一膜厚的半導體膜層，就需要對反應設備的精密度要求有嚴格的限制，例如：反應腔體兩極的電極板需要足夠的平整度，氣體擴散器的孔徑需要嚴格限制等。但是由于反應設備內的環境為高頻、高溫條件，這樣就加速了設備的老化過程，如電極板變形，氣體擴散器孔徑局部變大等情況，在實際的鍍膜生產過程中，若出現電極板變形，氣體擴散器孔徑局部變大等情況，會導致鍍到玻璃基板上的膜厚不均一，局部膜厚存在缺陷。

綜上所述，現有技術中的CVD鍍膜設備在鍍膜的過程中，會導致鍍到玻璃基板上的局部膜厚存在缺陷，設備的老化過程較快。

實用新型內容

本實用新型實施例提供了一種鍍膜設備，用以延長鍍膜設備備件的使用壽命，提高玻璃基板的成膜均勻性，進而提高TFT的產品良率。

本實用新型實施例提供的一種鍍膜設備，包括：真空反應腔體，以及位于真空反應腔體內的上部電極板和下部電極板，所述設備還包括與所述下部電極板的支撐柱電連接的第一電機，所述第一電機位于所述真空反應腔體外部，用于控制所述下部電極板的水平旋轉。

由本實用新型實施例提供的鍍膜設備，由于該設備包括真空反應腔體，以及位于真空反應腔體內的上部電極板和下部電極板，該設備還包括與所述下部電極板的支撐柱電連接的第一電機，所述第一電機位于所述真空反應腔體外部，用于控制所述下部電極板的水平旋轉，下部電極板的水平旋轉會帶動玻璃基板的水平旋轉，使半導體膜能夠均勻沉積到玻璃基板上，提高了玻璃基板的成膜均勻性，彌補了由于鍍膜設備備件老化導致的半導體膜的局部缺陷不良問題，進而提高了TFT的產品良率，同時也延長了鍍膜設備備件的使用壽命。

較佳地，所述上部電極板的表面為圓形。

這樣，當將上部電極板的表面設置為圓形時，當下部電極板旋轉時能夠保證玻璃基板的各個邊緣位置依然能夠被上部電極板覆蓋到，且該設計在實際生產中更加方便、簡單。

較佳地，所述下部電極板的表面為圓形。

這樣，當將下部電極板的表面設置為圓形時，與上部電極板相匹配形成一個均勻電勢的電場，且該設計在實際生產中更加方便、簡單。

較佳地，所述第一電機為步進電機。

這樣，當第一電機為步進電機，該電機在控制下部電極板的水平旋轉時更加準確、方便。

較佳地，所述設備還包括第二電機，所述第二電機位于所述真空反應腔體外部，與所述下部電極板的支撐柱電連接，用于控制所述下部電極板的垂直升降。

這樣，當第二電機控制下部電極板的垂直升降時，能夠更好的控制沉積到待鍍基板上的膜層特性。

較佳地，所述設備還包括絕緣組件，所述絕緣組件與真空反應腔體的腔體壁和所述下部電極板的支撐柱相連，用于在所述下部電極板水平旋轉或垂直升降時，密封真空反應腔體的腔體壁和下部電極板的支撐柱之間的間隙。

這樣，由于在下部電極板水平旋轉或垂直升降時，會導致下部電極板的支撐柱和真空反應腔體的腔體壁之間有間隙，從而會破壞真空反應腔體的真空度，導致沉積到待鍍基板上的膜層特性發生變化，而這里設置的絕緣組件能夠在下部電極板水平旋轉或垂直升降時，密封真空反應腔體的腔體壁和下部電極板的支撐柱之間的間隙，使得真空反應腔體內的真空度不受影響。

較佳地，所述絕緣組件為充氣的氣動密封圈或高分子材料組成的密封圈。

這樣，當絕緣組件為充氣的氣動密封圈或高分子材料組成的密封圈時，在實際生產中方便、簡單。

較佳地，所述上部電極板包括上部背板和氣體擴散器。

這樣，當上部電極板包括上部背板和氣體擴散器時，在實際鍍膜生產中方便、易行。

較佳地，所述氣體擴散器包括多個雙錐形圓孔。

這樣，多個雙錐形圓孔的氣體擴散器更有利于氣體的擴散。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例提供的一種鍍膜設備剖面結構示意圖；

圖2為本實用新型實施例提供的一種鍍膜設備的俯視結構圖；