[實(shí)用新型]一種射頻橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體版圖結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420199261.6
• 申請(qǐng)日: 2014-04-21
• 公開（公告）號(hào): CN203895454U
• 公開（公告）日: 2014-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李賽;李科;叢密芳;杜寰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海聯(lián)星電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H01L29/78
• 代理公司: 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 11302
• 代理人: 劉杰

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種射頻橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體版圖結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

射頻橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體RF-LDMOS(Radio?Frequency?Laterally?Diffused?Metal?Oxide?Semiconductor，射頻橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)為現(xiàn)代雷達(dá)和無線通信基站等的核心部件；陣列使用時(shí)，通過金屬連接結(jié)構(gòu)統(tǒng)一連接，即通過柵指和漏指結(jié)構(gòu)統(tǒng)一連接。

參見圖1，傳統(tǒng)的RF-LDMOS版圖，由于柵指結(jié)構(gòu)7長(zhǎng)度較長(zhǎng)，其寄生電阻電感較大，不能忽略，導(dǎo)致從版圖中心位置到兩側(cè)的器件柵端呈電壓分布效應(yīng)；即從柵指結(jié)構(gòu)中心到柵指結(jié)構(gòu)兩端電壓不一致，一般呈現(xiàn)遞減分布，因而越靠近中心位置的器件功耗越大，這樣使得中心位置的器件極容易因?yàn)楣倪^大過熱燒毀；另一方面，柵端的引出金屬線，無論如何設(shè)置引線密度，任一引線傳輸?shù)男盘?hào)到中心位置的器件列和兩端的器件列的電長(zhǎng)度不一致，

因而導(dǎo)致信號(hào)的相位不一致，這樣會(huì)使得芯片不能有效實(shí)現(xiàn)功率放大作用。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種降低電壓分布效應(yīng)，以及信號(hào)相位差的射頻橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體版圖結(jié)構(gòu)。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種射頻橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體版圖結(jié)構(gòu)，包括：柵指單元、漏指單元以及橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體LDMOS；所述LDMOS的柵極端與所述柵指單元相連，漏極端與所述漏指單元相連；其特征在于，所述漏指單元包括：漏指基底以及用于管腳連接的漏端延伸結(jié)構(gòu)；所述柵指單元包括：多個(gè)柵指基底以及其延伸結(jié)構(gòu)，用于管腳連接的管腳連接件；所述管腳連接件呈梳齒形；所述呈梳齒形的管腳連接件頂端與所述柵指基底相連，且連接點(diǎn)位于所述梳齒形管腳連接件的頂部中心位置；所述梳齒形管腳連接件的梳齒狀延伸結(jié)構(gòu)與所述LDMOS的柵極端相連；所述漏端延伸結(jié)構(gòu)與所述LDMOS的漏極端相連。

進(jìn)一步地，所述漏端延伸結(jié)構(gòu)位于所述梳齒形管腳連接件的任意兩個(gè)相鄰梳齒狀延伸結(jié)構(gòu)間或者位于相鄰柵指單元的兩個(gè)相鄰梳齒狀延伸結(jié)構(gòu)間。

進(jìn)一步地，任意一個(gè)梳齒狀延伸結(jié)構(gòu)與其相鄰的一個(gè)漏端延伸結(jié)構(gòu)間均連接多個(gè)LDMOS構(gòu)成一個(gè)器件列。

進(jìn)一步地，同一柵指單元連接的多個(gè)器件列中，相鄰的兩個(gè)器件列中，靠近中心的器件列包含的LDMOS數(shù)量小于等于遠(yuǎn)離中心的器件列所包含的LDMOS的數(shù)量。

進(jìn)一步地，同一柵指單元連接的多個(gè)柵指基底中，靠近芯片中心的柵指基底連接的LDMOS的數(shù)量小于等于遠(yuǎn)離中心的柵指基底連接的LDMOS的數(shù)量。

進(jìn)一步地，當(dāng)一個(gè)芯片中存在多個(gè)柵指單元時(shí)，靠近芯片中心的柵指單元連接的LDMOS的數(shù)量小于等于遠(yuǎn)離中心的柵指單元連接的LDMOS的數(shù)量。

進(jìn)一步地，當(dāng)同一柵指基底存在n個(gè)所述管腳連接件時(shí)，所述柵指基底上設(shè)置n個(gè)用于連接n個(gè)所述管腳連接件的連接點(diǎn)；所述n個(gè)連接點(diǎn)包括所述柵指基底的兩端點(diǎn)；所述n個(gè)連接點(diǎn)等間距分布在所述柵指基底上；n為大于等于2的自然數(shù)。

進(jìn)一步地，所述漏指基底均分成多段漏指基底單元；其中，漏指基底單元的數(shù)量與柵指基底的數(shù)量相等。

進(jìn)一步地，任一所述柵指基底中的管腳連接件的數(shù)量為2個(gè)；對(duì)稱分布在所述柵指基底的兩端。

進(jìn)一步地，所述管腳連接件的梳齒狀延伸結(jié)構(gòu)數(shù)量為2個(gè)。

本實(shí)用新型提供的射頻橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體版圖結(jié)構(gòu)革新傳統(tǒng)的版圖結(jié)構(gòu)，將柵指結(jié)構(gòu)分為多個(gè)獨(dú)立的柵指基底，每個(gè)柵指基底設(shè)置用于管腳連接的管腳連接件，為關(guān)于柵指基底中心對(duì)稱的梳齒形的延伸結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)形成的寄生電阻和電感關(guān)于柵指基底中心對(duì)稱，從而使得柵指基底兩端的電壓分布一致，大大降低了電壓分布效應(yīng)，避免器件過熱燒毀；同時(shí)信號(hào)到兩端的器件列的距離相同，從而大大減小信號(hào)相位差，改善信號(hào)通路的相位均勻性，改善器件效率；此外多個(gè)分離的柵指基底，使得每部分柵指單元的整體阻抗增加，降低內(nèi)匹配難度。

附圖說明

圖1為傳統(tǒng)射頻橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體版圖結(jié)構(gòu)；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的射頻橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體版圖結(jié)構(gòu)；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的射頻橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體版圖單元結(jié)構(gòu)。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例一