[實用新型]一種射頻橫向擴散金屬氧化物半導體版圖結構

有效

• 申請號: 201420199261.6
• 申請日: 2014-04-21
• 公開（公告）號: CN203895454U
• 公開（公告）日: 2014-10-22
• 發明（設計）人: 李賽;李科;叢密芳;杜寰
• 申請（專利權）人: 上海聯星電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/78
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉杰

1.一種射頻橫向擴散金屬氧化物半導體版圖結構，包括：柵指單元、漏指單元以及橫向擴散金屬氧化物半導體LDMOS；所述LDMOS的柵極端與所述柵指單元相連，漏極端與所述漏指單元相連；其特征在于，所述漏指單元包括：漏指基底以及用于管腳連接的漏端延伸結構；所述漏端延伸結構為漏指基底的梳齒狀延伸結構；所述柵指單元包括：多個柵指基底及各柵指基底的延伸結構；所述柵指基底的延伸結構為用于管腳連接的管腳連接件；所述管腳連接件呈梳齒形；所述呈梳齒形的管腳連接件頂端與所述柵指基底相連，且連接點位于所述呈梳齒形的管腳連接件的頂部中心位置；所述管腳連接件的梳齒狀延伸結構與所述LDMOS的柵極端相連；所述漏端延伸結構與所述LDMOS的漏極端相連。

2.如權利要求1所述的射頻橫向擴散金屬氧化物半導體版圖結構，其特征在于：所述漏端延伸結構位于所述管腳連接件的任意兩個相鄰梳齒狀延伸結構間或者位于相鄰柵指基底的兩個相鄰梳齒狀延伸結構間。

3.如權利要求2所述的射頻橫向擴散金屬氧化物半導體版圖結構，其特征在于：任意一個梳齒狀延伸結構與其相鄰的一個漏端延伸結構間均連接多個LDMOS；所述多個LDMOS構成一個器件列。

4.如權利要求3所述的射頻橫向擴散金屬氧化物半導體版圖結構，其特征在于：同一柵指基底連接的多個器件列中，相鄰的兩個器件列中，靠近中心的器件列包含的LDMOS的數量小于等于遠離中心的器件列所包含的LDMOS的數量。

5.如權利要求3所述的射頻橫向擴散金屬氧化物半導體版圖結構，其特征在于：同一柵指單元連接的多個柵指基底中，靠近芯片中心的柵指基底連接的LDMOS的數量小于等于遠離中心的柵指基底連接的LDMOS的數量。

6.如權利要求3所述的射頻橫向擴散金屬氧化物半導體版圖結構，其特征在于：當一個芯片中存在多個柵指單元時，靠近芯片中心的柵指單元連接的LDMOS的數量小于等于遠離中心的柵指單元連接的LDMOS的數量。

7.如權利要求4～6任一項所述的射頻橫向擴散金屬氧化物半導體版圖結構，其特征在于：當同一柵指基底存在n個所述管腳連接件時，所述柵指基底上設置n個用于連接n個所述管腳連接件的連接點；所述n個連接點包括所述柵指基底的兩端點；所述n個連接點等間距分布在所述柵指基底上；n≥2。

8.如權利要求7所述的射頻橫向擴散金屬氧化物半導體版圖結構，其特征在于：所述漏指基底均分成多段漏指基底單元；其中，漏指基底單元的數量與柵指基底的數量相等。

9.如權利要求8所述的射頻橫向擴散金屬氧化物半導體版圖結構，其特征在于：任一所述柵指基底連接的管腳連接件的數量為2個；對稱分布在所述柵指基底的兩端。

10.如權利要求9所述的射頻橫向擴散金屬氧化物半導體版圖結構，其特征在于：所述管腳連接件的梳齒狀延伸結構數量為2個。