[實用新型]矩形平面磁控濺射靶材及磁控濺射靶裝置

有效

• 申請號: 201420197329.7
• 申請日: 2014-04-22
• 公開（公告）號: CN203782228U
• 公開（公告）日: 2014-08-20
• 發明（設計）人: 李晨光
• 申請（專利權）人: 南昌歐菲光科技有限公司;深圳歐菲光科技股份有限公司;蘇州歐菲光科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;趙根喜

技術領域

本公開涉及電子器件制造技術領域，具體而言，涉及一種矩形平面磁控濺射靶材及磁控濺射靶裝置。

背景技術

磁控濺射技術已發展成為工業鍍膜中非常重要的技術，由于其具有高速、低溫等特點，越來越受到有關方面的關注。例如，磁控濺射技術已經應用延伸到許多生產和科研領域，在電子、光學、表面功能薄膜、薄膜發光材料等許多方面都有廣泛的應用。特別是用磁控濺射技術制備的透明導電玻璃目前廣泛應用于平板顯示器、太陽能電池、建筑玻璃、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等領域。

然而，現有技術中的磁控濺射靶裝置仍然存在一些缺點。例如，由于在磁控濺射鍍膜技術中，采用的磁場并非完全均勻的，而非均勻磁場區域中的等離子體會產生局部收縮效應，使靶材上局部位置的濺射刻蝕速率變的極大，其結果是會在較短時間內將靶材的局部區域刻蝕穿，致使靶材的利用率一般僅在20％～30％。

例如，圖1以及圖2中為現有技術中用于磁控濺射的矩形平面靶材的結構示意圖。圖中1-7均為靶材，8-9為位于靶材下端的磁鐵。中間區域的靶材3-7位于均勻磁場區域，而兩端區域的靶材1-2位于非均勻磁場區域。由于位于非均勻磁場區域的靶材相對于位于均勻磁場區域的靶材蝕刻速度要快很多，導致兩端區域的靶材最先被蝕刻穿，而此時中間區域的靶材仍未蝕刻盡，導致整套矩形平面磁控濺射靶材浪費7％～10％。

靶材的利用率低，一方面會造成靶材的浪費，另一方面會導致換靶周期縮短，使得設備的開機率降低，影響整個生產線的產能。

利用率低的缺點對于普通材料，如TiN等材料的濺射成本沒有太大影響。但是，對于一些如金、銀、鉑等貴金屬材料或者Ti3Al等高純度合金材料的濺射，以及一些如ITO膜、電磁膜、超導膜、電子膜、電介質膜等功能膜的制備，所需要的靶材都極其昂貴，靶材的利用率無疑會在很大程度上增加生產成本。

因此，提高矩形平面磁控濺射靶材的利用率，減少靶材的浪費，對于降低生產成本相當重要。

發明內容

針對現有技術中的部分或者全部問題，本申請公開一種矩形平面磁控濺射靶材及磁控濺射靶裝置，從而提高整套矩形平面磁控濺射靶材的利用率。

本公開的其他特性和優點將通過下面的詳細描述變得顯然，或部分地通過本公開的實踐而習得。

根據本公開的一個方面，一種矩形平面磁控濺射靶材，包括：

第一部分，對應位于其兩端區域的部分；

第二部分，對應位于所述兩端區域的之間區域的部分；

所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。

所述第二部分與第一部分的厚度之差可以使得在磁控濺射過程中，所述第二部分不先于所述第一部分達到刻蝕最低值。

所述第二部分與第一部分的厚度之差可以使得在磁控濺射過程中，所述第二部分與所述第一部分同時達到刻蝕最低值。

所述第二部分比所述第一部分厚1-2mm。

所述第一部分的厚度為7-9mm，所述第二部分的厚度為8-11mm。

所述矩形平面磁控濺射靶材為一體式結構。

所述第一部分和第二部分均為獨立結構。

根據本公開的另一方面，一種矩形平面磁控濺射靶材，包括：

第一部分，對應位于均勻磁場區域的部分；

第二部分，對應位于非均勻磁場區域的部分；

所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。

根據本公開的再一方面，一種磁控濺射靶裝置，包括：背板以及貼覆在所述背板表面的矩形平面磁控濺射靶材；所述矩形平面磁控濺射靶材為上述任意一種矩形平面磁控濺射靶材。

所述背板厚度約為8mm。

由上述技術方案可知，在本實用新型所提供的矩形平面磁控濺射靶材以及磁控濺射靶裝置中，通過使矩形平面磁控濺射靶材對應位于非均勻磁場區域的部分(即第一部分)的厚度適當大于對應位于均勻磁場區域的部分(即第一部分)的厚度，從而減少了矩形平面磁控濺射靶材對應位于非均勻磁場區域的部分和對應位于均勻磁場區域的部分刻蝕穿所用的時間之差，避免出現由于局部過早刻蝕穿而導致整套矩形平面磁控濺射靶材浪費，提高了整套矩形平面磁控濺射靶材的利用率。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述其示例實施方式，本公開的上述和其它特征及優點將變得更加明顯。

圖1以及圖2為現有技術中矩形平面磁控濺射靶材的結構示意圖。

圖3以及圖4為本公開示例實施方式中矩形平面磁控濺射靶材的結構示意圖。