[實用新型]一種半導體激光器

有效

• 申請號: 201420195151.2
• 申請日: 2014-04-21
• 公開（公告）號: CN203883308U
• 公開（公告）日: 2014-10-15
• 發明（設計）人: 雷海東;魏潔;張明;朱紫洪
• 申請（專利權）人: 江漢大學
• 主分類號: H01S5/022
• 分類號: H01S5/022;H01S5/06
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉杰

技術領域

本實用新型涉及激光器件，具體的涉及一種半導體激光器。

背景技術

半導體激光器由于具有電光直接轉換,體積小，壽命長等優點，已經廣泛應用于許多領域，然而其線寬通常比較大，例如分布反饋（DFB）半導體激光器的線寬在MHz量級，而光纖傳導等領域對光信號的相干性要求很高，需要幾十千赫茲的量級；最近20多年來，如何減小半導體激光器的線寬成為各國科學家研究的，尤其在原子鐘領域，對于激光的線寬要求非常嚴格，因此，在窄線寬激光器的應用領域中,激光頻率穩定度是一個極其重要的指標參數。一般有如下兩種因素會影響半導體激光器的線寬：①由于地面的自然振動引起的激光線寬的增寬；大地的自然振動也會無可避免地增加半導體激光器的線寬，然而大地的自然振動又是無法避免的，只能盡量地減小大地振動對半導體激光器的影響，現今普遍采用的是氣墊隔振平臺，這種方案將極大的減小地面振動對線寬的影響，但是這種做法還是不夠理想，因為這種氣墊隔振平臺是與地面直接接觸的，因而會隨地面的振動而引起相應的振動。②電路本身對半導體激光器線寬的影響。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是提供一種半導體激光器，能盡可能的減小外界和電路本身對半導體激光光器線寬的影響。

本實用新型解決上述技術問題的技術方案如下：一種半導體激光器，包括隔振平臺和半導體激光器本體，所述隔振平臺包括氣墊式隔振平臺、磁鐵板塊，所述磁鐵板塊設有兩塊，分別為第一磁鐵板塊和第二磁鐵板塊，所述第一磁鐵板塊的極性、形狀和大小與所述第二磁鐵板塊的極性、形狀和大小分別相同，所述第一磁鐵板塊位于所述氣墊式隔振平臺上，所述第二磁鐵板塊懸浮在所述第一磁鐵板塊的上方，所述半導體激光器本體固定在所述第二磁鐵板塊上。

本實用新型的有益效果是：本實用新型一種半導體激光器采用“磁懸浮”式的氣墊隔振平臺，這種隔振平臺是非接觸類的，也就是說它沒有與地面直接接觸，而是通過磁場與磁場的相互作用而與地面隔離，進而受到地面自然振動的影響極小，進而巧妙地避免了地面振動對半導體激光器線寬的影響。

在上述技術方案的基礎上，本實用新型還可以做如下改進。

進一步，所述第二磁鐵板塊的上方設有兩個赫姆霍茲線圈，所述兩個赫姆霍茲線圈的中心在同一條軸線上。

采用上述進一步方案的有益效果為：在“磁懸浮”式氣墊隔振平臺的第二磁鐵板塊的上方放一對赫姆霍茲線圈，使其產生與第一磁鐵板塊在外面產生的磁場的等大反向的磁場，以抵消第二磁鐵板塊上方的磁場，避免了外界磁場對半導體激光器本體產生的不良影響。

進一步，所述半導體激光器本體內設有穩頻電路，所述穩頻電路包括單頻激光器、壓電陶瓷晶體、光電探測器、選頻放大器、1kHz正弦波振蕩器、鑒相器、直流放大器和直流電壓變換器，所述單頻激光器設置在所述壓電陶瓷晶體和所述光電探測器之間，所述光電探測器、選頻放大器、鑒相器、直流放大器、直流電壓變換器和壓電陶瓷晶體依次相連，且所述鑒相器通過所述1kHz正弦波振蕩器與所述壓電陶瓷晶體相連。

采用上述進一步方案的有益效果為：采用上述所述的一種穩頻電路，可以穩定半導體激光器本體的頻率，從而避免半導體激光器本體本身的電路對半導體激光器線寬的影響。

進一步，所述壓電陶瓷晶體為圓筒形，在圓筒形壓電陶瓷晶體的內壁和外壁上分別設有電極。

進一步，所述光電探測器為光電二極管或光電管。

進一步，所述選頻放大器為雙T型網絡構成的選頻放大器。

進一步，所述鑒相器為二極管平衡式鑒相器。

附圖說明

圖1為本實用新型一種半導體激光器的隔震平臺的結構示意圖；

圖2現有技術中穩頻電路的原理框圖；

圖3雙二次帶通濾波器的電路結構圖；

圖4雙二次低通濾波器的電路結構圖；

圖5為本實用新型一種半導體激光器的穩頻電路的結構示意圖。

附圖中，各標號所代表的部件列表如下：

1、氣墊式隔振平臺，2、第一磁鐵板塊，3、第二磁鐵板塊，4、赫姆霍茲線圈。

具體實施方式

以下結合附圖對本實用新型的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本實用新型，并非用于限定本實用新型的范圍。