[實用新型]一種半導體激光器

有效

• 申請號: 201420195151.2
• 申請日: 2014-04-21
• 公開（公告）號: CN203883308U
• 公開（公告）日: 2014-10-15
• 發明（設計）人: 雷海東;魏潔;張明;朱紫洪
• 申請（專利權）人: 江漢大學
• 主分類號: H01S5/022
• 分類號: H01S5/022;H01S5/06
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉杰

1.一種半導體激光器，其特征在于：包括隔振平臺和半導體激光器本體，所述隔振平臺包括氣墊式隔振平臺、磁鐵板塊，所述磁鐵板塊設有兩塊，分別為第一磁鐵板塊和第二磁鐵板塊，所述第一磁鐵板塊的極性、形狀和大小與所述第二磁鐵板塊的極性、形狀和大小分別相同，所述第一磁鐵板塊位于所述氣墊式隔振平臺上，所述第二磁鐵板塊懸浮在所述第一磁鐵板塊的上方，所述半導體激光器本體固定在所述第二磁鐵板塊上。

2.根據權利要求1所述的一種半導體激光器，其特征在于：所述第二磁鐵板塊的上方設有兩個赫姆霍茲線圈，所述兩個赫姆霍茲線圈的中心在同一條軸線上。

3.根據權利要求1或2所述的一種半導體激光器，其特征在于：所述半導體激光器本體內設有穩頻電路，所述穩頻電路包括單頻激光器、壓電陶瓷晶體、光電探測器、選頻放大器、1kHz正弦波振蕩器、鑒相器、直流放大器和直流電壓變換器，所述單頻激光器設置在所述壓電陶瓷晶體和所述光電探測器之間，所述光電探測器、選頻放大器、鑒相器、直流放大器、直流電壓變換器和壓電陶瓷晶體依次相連，且所述鑒相器通過所述1kHz正弦波振蕩器與所述壓電陶瓷晶體相連。

4.根據權利要求3所述的一種半導體激光器，其特征在于：所述壓電陶瓷晶體為圓筒形，在圓筒形壓電陶瓷晶體的內壁和外壁上分別設有電極。

5.根據權利要求3所述的一種半導體激光器，其特征在于：所述光電探測器為光電二極管或光電管。

6.根據權利要求3所述的一種半導體激光器，其特征在于：所述選頻放大器為雙T型網絡構成的選頻放大器。

7.根據權利要求3所述的一種半導體激光器，其特征在于：所述鑒相器為二極管平衡式鑒相器。