[實(shí)用新型]基于邁克爾遜干涉儀的全光纖折射率計(jì)及其系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420189564.X | 申請(qǐng)日: | 2014-04-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203894161U | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-10-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王義平;李正勇;廖常銳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N21/45 | 分類號(hào): | G01N21/45 |
| 代理公司: | 深圳市恒申知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44312 | 代理人: | 陳健 |
| 地址: | 518060 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 邁克 干涉儀 光纖 折射率 及其 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于傳感器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種基于邁克爾遜干涉儀的全光纖折射率計(jì)及其系統(tǒng)。
背景技術(shù)
折射率是流體介質(zhì)比如液體,氣體等重要的物理參數(shù)。流體的折射率通常與濃度、成分、物質(zhì)含量等相關(guān)參量有關(guān),這些參量可以在折射率上得到反映。因此可以通過(guò)測(cè)量折射率的變化了解其物理和化學(xué)性質(zhì)。折射率測(cè)量的方法很多,其中光纖折射率傳感器的類型有光纖布拉格光柵、長(zhǎng)周期光纖光柵、光纖表面等離子體共振、光纖馬赫-曾德干涉儀、光纖法布里-珀羅干涉儀等。這些光纖傳感器普遍存在測(cè)量靈敏度低、折射率測(cè)量區(qū)間小、結(jié)構(gòu)復(fù)雜或成本高等問(wèn)題。Wong等人提出了一種基于纖芯錯(cuò)位熔接和電弧放電致光纖末端形成圓弧面的邁克爾遜干涉儀,基于高階模式干涉原理獲得為1.24×10-4RIU的折射率探測(cè)極限,但這種結(jié)構(gòu)的干涉對(duì)比度只有6dB左右,并且測(cè)量范圍較窄,由于采用電弧放電制作的圓弧端,圓弧度具有隨機(jī)性。因此,現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷,需要改進(jìn)。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種基于邁克爾遜干涉儀的全光纖折射率計(jì)及其系統(tǒng),旨在提出一種制備方法簡(jiǎn)單、探測(cè)靈敏度高和測(cè)量范圍大的新型全光纖折射率計(jì)。
本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的,基于邁克爾遜干涉儀的全光纖折射率計(jì),包括依次順序熔接的第一根單模光纖、細(xì)芯光纖和第二根單模光纖;所述細(xì)芯光纖的長(zhǎng)度和所述第二根單模光纖的長(zhǎng)度的比值符合一定數(shù)值范圍。
所述的全光纖折射率計(jì),其中,所述細(xì)芯光纖的長(zhǎng)度在1100μm-1900μm范圍內(nèi)。
所述的全光纖折射率計(jì),其中,所述第二根單模光纖的長(zhǎng)度在40μm-60μm范圍內(nèi)。
所述的全光纖折射率計(jì),其中,所述細(xì)芯光纖替換為色散位移光纖或光子晶體光纖。
本實(shí)用新型還提供一種基于邁克爾遜干涉儀的全光纖折射率計(jì)系統(tǒng),包括光源、光譜測(cè)量?jī)x、耦合器和如上所述的任一全光纖折射率計(jì),所述耦合器的第一輸入端連接所述光源,所述耦合器的第二輸入端連接所述光譜測(cè)量?jī)x,所述耦合器的輸出端連接所述全光纖折射率計(jì)的第一單模光纖,所述全光纖折射率計(jì)的第二單模光纖處的傳感頭浸沒(méi)于待測(cè)液體中。
本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比,有益效果在于:通過(guò)控制細(xì)芯光纖和第二根單模光纖的長(zhǎng)度就可以獲得較好的干涉對(duì)比度,實(shí)現(xiàn)折射率的測(cè)量;所述的全光纖折射率計(jì)具有制備方法簡(jiǎn)易、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、探測(cè)靈敏度高和測(cè)量范圍大等優(yōu)勢(shì)。
附圖說(shuō)明
圖1為基于邁克爾遜干涉儀的全光纖折射率計(jì)的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為基于邁克爾遜干涉儀的全光纖折射率計(jì)的原理示意圖;
圖3為全光纖折射率計(jì)在空氣中測(cè)得的反射光譜圖;
圖4a為當(dāng)外界環(huán)境折射率從1.0變化到1.46時(shí)反射譜的演變圖;
圖4b為當(dāng)外界環(huán)境折射率從1.46變化到1.70時(shí)反射譜的演變圖;
圖5a為當(dāng)外界環(huán)境折射率從1.0變化到1.46時(shí),1430nm—1480nm范圍內(nèi)的反射譜的演變圖;
圖5b為當(dāng)外界環(huán)境折射率從1.46變化到1.70時(shí),1430nm—1480nm范圍內(nèi)的反射譜的演變圖;
圖5c為波長(zhǎng)在1454nm處光強(qiáng)度隨折射率變化的關(guān)系圖;
圖5d為波長(zhǎng)在1454nm附近的波谷所對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)隨折射率變化的關(guān)系圖;
圖6a為全光纖折射率計(jì)在不同溫度環(huán)境中的光譜;
圖6b為在1454nm附近波谷所對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)和強(qiáng)度隨溫度變化的關(guān)系圖。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。
本實(shí)用新型提出了基于普通單模光纖(SMF)-細(xì)芯光纖(TCF)-單模光纖(SMF)熔接的邁克爾遜干涉儀結(jié)構(gòu)。基于該干涉結(jié)構(gòu)的全光纖折射率計(jì)相比于其他類型的全光纖折射率計(jì),具有體積小、成本低、靈敏度高、抗電磁干擾、耐腐蝕和可用于惡劣環(huán)境等優(yōu)點(diǎn),在生化傳感領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。
結(jié)合圖1、圖2所示,一種基于邁克爾遜干涉儀的全光纖折射率計(jì),包括依次順序熔接的第一根單模光纖101、細(xì)芯光纖102和第二根單模光纖103;細(xì)芯光纖102的長(zhǎng)度和第二根單模光纖103的長(zhǎng)度的比值符合一定數(shù)值范圍。
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G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見(jiàn)光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





