[實用新型]超結器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420180475.9
• 申請日: 2014-04-15
• 公開（公告）號: CN204144264U
• 公開（公告）日: 2015-02-04
• 發(fā)明（設計）人: W.凱因德爾;A.維爾梅羅特
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 胡莉莉;王忠忠

技術領域

本實用新型涉及半導體器件領域，具體地說，涉及具有變化深度的補償區(qū)域與無源極區(qū)的組合的超結器件。?

背景技術

現(xiàn)代超結器件的特征在于越來越小的間距大小和器件面積。這個趨勢由允許更小的開關損耗的Eoss的減少、導致了對于柵極驅動器的功率和大小更低的要求的減少的柵極電荷驅動，并且甚至由單位芯片面積的導通電阻(Rdson)的減少驅動，其中Eoss是存儲在器件的輸出電容Coss中的能量。針對大的芯片面積，小的單位芯片面積的Rdson是減少芯片成本的主要因素，并且其允許針對給定的封裝大小提供較小的Rdson值。?

對于任何縮小的主要要求在于：器件在極端工作模式下仍然保持其魯棒性，例如在雪崩條件或短路條件下仍然保持其魯棒性。?

芯片大小的減少導致了標準工作模式下以及尤其是極端工作模式下(像雪崩條件下)的更高的電流密度。由于電流密度是針對雪崩魯棒性的限制性因素，所以如果不采取其它措施的話，那么隨著芯片的縮小，雪崩魯棒性將變差。?

隨著在完全均勻的器件中不斷增加的漏極-源極電壓(V_DS)，雪崩生成均勻地開始于所有單元中。由于實際上沒有制造工藝是完全均勻的，所以雪崩生成將開始于器件中未定義的點，并且具有顯著電流的點可能移動到任何其它點。結果，電流絲化(filamentation)可能發(fā)生。同樣，邊緣區(qū)域中的顯著的雪崩生成也不能完全避免。?

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供至少一種方案來解決上述問題。?

根據(jù)本實用新型的一個方面，提供了一種超結器件，所述超結器件包括：?

半導體主體，其具有第一表面；?

第一導電類型的內區(qū)，其部署在半導體主體中，并且毗連半導體主體的第一表面；?

漏極區(qū)，其毗連內區(qū)；?

第二導電類型的基區(qū)，其部署在半導體主體中并且毗連半導體主體的第一表面；?

包括多個單元的單元陣列：?

其中，在單元陣列的第一組單元的每個單元中，第一導電類型的源極區(qū)部署在基區(qū)中并且毗連半導體主體的第一表面，

其中，在單元陣列的第二組單元的每個單元中，源極區(qū)的面積小于單元陣列的第一組單元的每個單元中的源極區(qū)的面積；以及

第二導電類型的補償區(qū)域，其部署在半導體主體中并且毗連基區(qū)，并且具有變化的深度。

優(yōu)選地，單元陣列的第二組單元中的至少一部分鄰近超結器件的邊緣。?

優(yōu)選地，單元陣列的第二組單元中的至少一部分對應于具有減少的深度的補償區(qū)域的部分。?

優(yōu)選地，單元陣列的第二組單元中的至少一部分對應于具有增加的深度的補償區(qū)域的部分。?

優(yōu)選地，補償區(qū)域的摻雜濃度低于基區(qū)的摻雜濃度。?

優(yōu)選地，補償區(qū)域具有變化的寬度。更進一步，補償區(qū)域的寬度在朝著漏極區(qū)的方向上減小。?

優(yōu)選地，不同單元中的補償區(qū)域的寬度不同。?

優(yōu)選地，內區(qū)的摻雜濃度是變化的。更進一步，內區(qū)的摻雜濃度在朝著漏極區(qū)的方向上增加或減小。?

優(yōu)選地，單元陣列具有條紋形的單元。更進一步，在單元陣列的第二組單元的每個單元中，源極區(qū)的面積小于單元陣列的第一組單元的每個單元中的源極區(qū)的面積的那部分源極區(qū)分布在條紋形基區(qū)的一側或兩側。更進一步，在單元陣列的第二組單元的每個單元中，源極區(qū)的面積小于單元陣列的第一組單元的每個單元中的源極區(qū)的面積的那部分源極區(qū)以虛線的方式分布。?

優(yōu)選地，單元陣列中的至少一部分單元以六邊形的方式或正方形的方式布置。?

優(yōu)選地，鄰近超結器件的邊緣的補償區(qū)域具有在朝著超結器件的邊緣的方向上減小的深度。?

附圖說明

本實用新型的這些和其它特征和優(yōu)點將通過以下參考附圖的詳細描述而變得明顯，在附圖中：?

圖1示出了根據(jù)本實用新型的實施例的超結器件的結構；

圖2示出了根據(jù)本實用新型的另一個實施例的超結器件的結構；

圖3示出了根據(jù)本實用新型的另一個實施例的超結器件的結構；

圖4示出了根據(jù)本實用新型的另一個實施例的超結器件的結構；

圖5示出了根據(jù)本實用新型的另一個實施例的超結器件的結構；

圖6示出了根據(jù)本實用新型的另一個實施例的超結器件的結構；

圖7示出了根據(jù)本實用新型的另一個實施例的超結器件的結構的單元陣列的布局。

具體實施方式