[實用新型]超結器件有效
| 申請號： | 201420180475.9 | 申請日： | 2014-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN204144264U | 公開（公告）日： | 2015-02-04 |
| 發明（設計）人： | W.凱因德爾;A.維爾梅羅特 | 申請（專利權）人： | 英飛凌科技奧地利有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;王忠忠 |
| 地址： | 奧地利*** | 國省代碼： | 奧地利;AT |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 器件 | ||
1.一種超結器件，所述超結器件包括：
半導體主體，其具有第一表面；
第一導電類型的內區，其部署在半導體主體中，并且毗連半導體主體的第一表面；
漏極區，其毗連內區；?
第二導電類型的基區，其部署在半導體主體中并且毗連半導體主體的第一表面；
包括多個單元的單元陣列：
其中，在單元陣列的第一組單元的每個單元中，第一導電類型的源極區部署在基區中并且毗連半導體主體的第一表面，
其中，在單元陣列的第二組單元的每個單元中，源極區的面積小于單元陣列的第一組單元的每個單元中的源極區的面積；以及
第二導電類型的補償區域，其部署在半導體主體中并且毗連基區，并且具有變化的深度。
2.根據權利要求1所述的超結器件，其中，
單元陣列的第二組單元中的至少一部分鄰近超結器件的邊緣。
3.根據權利要求1所述的超結器件，其中，
單元陣列的第二組單元中的至少一部分對應于具有減少的深度的補償區域的部分。
4.根據權利要求1所述的超結器件，其中，
單元陣列的第二組單元中的至少一部分對應于具有增加的深度的補償區域的部分。
5.根據權利要求1所述的超結器件，其中，
補償區域的摻雜濃度低于基區的摻雜濃度。
6.根據權利要求1所述的超結器件，其中，
補償區域具有變化的寬度。
7.根據權利要求6所述的超結器件，其中，
補償區域的寬度在朝著漏極區的方向上減小。
8.根據權利要求1所述的超結器件，其中，
不同單元中的補償區域的寬度不同。
9.根據權利要求1所述的超結器件，其中，
內區的摻雜濃度是變化的。
10.根據權利要求9所述的超結器件，其中，
內區的摻雜濃度在朝著漏極區的方向上增加或減小。
11.根據權利要求1所述的超結器件，其中，
單元陣列具有條紋形的單元。
12.根據權利要求11所述的超結器件，其中，
在單元陣列的第二組單元的每個單元中，源極區的面積小于單元陣列的第一組單元的每個單元中的源極區的面積的那部分源極區分布在條紋形基區的一側或兩側。
13.根據權利要求12所述的超結器件，其中，
在單元陣列的第二組單元的每個單元中，源極區的面積小于單元陣列的第一組單元的每個單元中的源極區的面積的那部分源極區以虛線的方式分布。
14.根據權利要求1所述的超結器件，其中，
單元陣列中的至少一部分單元以六邊形的方式或正方形的方式布置。
15.根據權利要求1所述的超結器件，其中，
鄰近超結器件的邊緣的補償區域具有在朝著超結器件的邊緣的方向上減小的深度。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于英飛凌科技奧地利有限公司，未經英飛凌科技奧地利有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420180475.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：注入增強型絕緣柵雙極型晶體管
- 下一篇：具有雙端存儲器胞元的存儲器陣列架構
- 同類專利
- 專利分類
