[實(shí)用新型]一種晶片舉升裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420169782.7
• 申請(qǐng)日: 2014-04-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203941886U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇飛;崔強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所 31219
• 代理人: 李儀萍

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種晶片舉升裝置。?

背景技術(shù)

眾所周知，集成電路是由半導(dǎo)體晶片等半導(dǎo)體器件經(jīng)過(guò)若干加工、處理過(guò)程制造而成的。隨著電子技術(shù)的高速發(fā)展，人們對(duì)集成電路的集成度要求越來(lái)越高，這就要求生產(chǎn)集成電路的企業(yè)不斷地提高半導(dǎo)體器件的加工能力。目前，在半導(dǎo)體器件的制造加工過(guò)程中，常常需要用到刻蝕機(jī)等半導(dǎo)體處理設(shè)備，以對(duì)晶片等半導(dǎo)體器件進(jìn)行刻蝕等加工處理。在這些加工處理工藝過(guò)程中，特別是等離子刻蝕、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積等工藝過(guò)程中，為了固定、支撐以及傳送晶片等被加工器件，避免晶片出現(xiàn)移動(dòng)或錯(cuò)位現(xiàn)象，往往使用舉升裝置。?

圖1為現(xiàn)有工藝中使用的晶片舉升裝置，如圖1所示，所述晶片舉升裝置通常包含用于舉升晶片的舉升座10，所述舉升座10一端設(shè)置有彈簧裝置11，與所述舉升座10相連接的傳動(dòng)導(dǎo)桿12，連接傳動(dòng)導(dǎo)桿的傳動(dòng)組件13，用于驅(qū)動(dòng)傳動(dòng)組件13的驅(qū)動(dòng)裝置14，連接所述傳動(dòng)組件13和驅(qū)動(dòng)裝置14的連軸器15，通常使用的驅(qū)動(dòng)裝置14為馬達(dá)。?

在實(shí)際工藝過(guò)程中，該晶片舉升裝置的工作原理及工作過(guò)程為：在晶片加工處理開(kāi)始時(shí)，驅(qū)動(dòng)裝置14通過(guò)連軸器15驅(qū)動(dòng)傳動(dòng)組件13，傳動(dòng)組件13通過(guò)傳動(dòng)導(dǎo)桿12帶動(dòng)舉升座10向上運(yùn)動(dòng)。而后，借助于機(jī)械手臂將晶片傳送進(jìn)反應(yīng)室(圖1中，反應(yīng)室的底部腔壁16以上部位即為反應(yīng)室內(nèi)部環(huán)境)，并將其置于舉升座10上。之后，舉升座10在驅(qū)動(dòng)裝置14的作用下被傳動(dòng)導(dǎo)桿12帶動(dòng)向下運(yùn)動(dòng)，這樣晶片就被放在靜電卡盤17上，并通過(guò)靜電作用將晶片牢固夾持住。此時(shí)，晶片處于最低位置處，然后開(kāi)始對(duì)其進(jìn)行刻蝕等工藝。?

在晶片加工處理完成后，先消除靜電卡盤17與晶片之間的靜電作用，然后驅(qū)動(dòng)裝置14通過(guò)連軸器15驅(qū)動(dòng)傳動(dòng)組件13，傳動(dòng)組件13通過(guò)傳動(dòng)導(dǎo)桿12帶動(dòng)舉升座10向上運(yùn)動(dòng)。而后，借助于機(jī)械手臂將晶片從反應(yīng)腔室16內(nèi)取出。?

現(xiàn)有工藝中使用的晶片舉升裝置的缺陷在于：由于驅(qū)動(dòng)裝置為馬達(dá)，在使用的過(guò)程中，由于傳動(dòng)系統(tǒng)老化，會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)阻力變大，從而造成馬達(dá)丟步，使得晶片舉升的位置出現(xiàn)偏差。由于該系統(tǒng)沒(méi)有校正丟步的功能，所以丟步的問(wèn)題會(huì)逐漸累加。正常工藝中，將晶片舉升到最高位置時(shí)，舉升座距離靜電卡盤的距離為10mm，將晶片放置于靜電卡盤上時(shí)，舉升座位于最低位置處，距離靜電卡盤的距離為-2mm。因此，當(dāng)馬達(dá)丟步累計(jì)，使得累加的位移偏差超過(guò)2mm，也就是在正常的工藝過(guò)程中，晶片就不能被準(zhǔn)確的放置于靜電卡盤上，由于靜電卡盤的溫度為固定值為250℃，晶片距離靜電卡盤的位置發(fā)生變化，必將會(huì)導(dǎo)致其工藝?溫度發(fā)生改變，對(duì)產(chǎn)品造成嚴(yán)重的影響，甚至?xí)?dǎo)致機(jī)臺(tái)停機(jī)。?

針對(duì)上述由于馬達(dá)丟步對(duì)晶片工藝造成嚴(yán)重影響的問(wèn)題，現(xiàn)有解決方法有以下兩種：一、每天人工對(duì)機(jī)臺(tái)進(jìn)行維護(hù)，但該方法費(fèi)時(shí)費(fèi)力，可執(zhí)行性不強(qiáng)。二、用氣缸組件取代馬達(dá)，使用氣壓驅(qū)動(dòng)舉升座運(yùn)動(dòng)，但該方法仍然存在不可避免的問(wèn)題：晶片加工處理過(guò)程中，除了加工處理正常的晶片，還會(huì)對(duì)特殊要求的晶片進(jìn)行加工處理，根據(jù)這些特殊晶片所要求的工藝溫度，會(huì)適當(dāng)?shù)恼{(diào)節(jié)晶片距離靜電卡盤的距離，這一步驟實(shí)際上是通過(guò)調(diào)整舉升座距離靜電卡盤的距離來(lái)實(shí)現(xiàn)，譬如，舉升座距靜電卡盤的距離為2mm，但使用氣缸組件取代馬達(dá)以后，由于氣體的體積受壓力和溫度的影響較大，通過(guò)氣體的調(diào)節(jié)，不能實(shí)現(xiàn)對(duì)舉升座位置的精確調(diào)整，此時(shí)，只能實(shí)現(xiàn)正常晶片所需的兩個(gè)機(jī)械位置的舉升，不能加工處理特殊的產(chǎn)品。?

鑒于此，有必要設(shè)計(jì)一種新的終點(diǎn)偵測(cè)連接裝置以解決上述技術(shù)問(wèn)題。?

實(shí)用新型內(nèi)容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種晶片舉升裝置，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中為了解決馬達(dá)丟步而每天人工對(duì)機(jī)臺(tái)進(jìn)行維護(hù)，造成的費(fèi)時(shí)費(fèi)力，可執(zhí)行性不強(qiáng)的問(wèn)題，以及采用氣缸組件取代馬達(dá)，但其他的體積受壓力和溫度的影響較大，通過(guò)氣體的調(diào)節(jié)，不能實(shí)現(xiàn)對(duì)舉升座位置的精確調(diào)整的問(wèn)題。?