[實用新型]一種薄膜晶體管陣列基板

有效

• 申請號: 201420162725.6
• 申請日: 2014-04-04
• 公開（公告）號: CN203774329U
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 王士敏;趙約瑟;張超;李紹宗
• 申請（專利權）人: 深圳萊寶高科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及平板顯示技術領域，尤其涉及一種薄膜晶體管陣列基板。

背景技術

薄膜晶體管（TFT）包括非晶硅（a-Si）TFT、低溫多晶硅（LTPS）TFT和氧化銦鎵鋅（IGZO）TFT等，其中，由于IGZO-TFT具有更高的響應速度和分辨率，且成本低，因此相比于a-Si-TFT和LTPS-TFT更具競爭力。

IGZO材料是作為新一代薄膜晶體管技術中的溝道層材料，是一種含有銦、鎵和鋅的非晶氧化物，其載流子遷移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT對像素電極的充放電速率，提高像素的響應速度，實現更快的刷新率，同時更快的響應也大大提高了像素的行掃描速率，使得超高分辨率在TFT-LCD中成為可能。

然而，對于IGZO-TFT的制作工藝而言，一般需要依次經過柵極構圖、有源層圖形構圖、溝道保護膜構圖、源漏電構圖、像素電極構圖、接觸孔構圖，保護膜圖形構圖中的6-7次構圖工藝完成，工藝過程復雜，且良品率較低。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型提供一種工藝過程簡單，且良品率高的薄膜晶體管陣列基板。

本實用新型提供的所述薄膜晶體管陣列基板包括具有第一表面的基板、形成于所述基板的第一表面上的多條掃描線、多條信號線、多個薄膜晶體管及多個第一像素電極；所述多條掃描線和多條信號線相互交叉在所述第一表面上，并定義出多個像素區域，且每個像素區域內至少設有一個所述薄膜晶體管和一個第一像素電極，每一個所述薄膜晶體管分別與一所述掃描線和信號線電性連接；所述薄膜晶體管至少包括第一柵極、第一有源塊、第一源極、第一漏極和第一像素電極，所述第一像素電極先于第一源極或第一漏極形成，或者第一源極、第一漏極和第一像素電極在同一制程中一并制成。

本實用新型提供的所述薄膜晶體管陣列基板中，所述第一柵極形成于所述基板的第一表面上，所述第一柵絕緣層形成于所述第一柵極上，并覆蓋所述第一柵極及掃描線，所述第一有源塊設置于所述第一柵極上方的第一柵絕緣層上，所述第一阻擋層覆蓋于所述第一有源塊上，所述第一阻擋層在覆蓋所述第一有源塊的位置具有第一接觸孔和第二接觸孔，所述第一阻擋層上形成有至少覆蓋所述第一接觸孔的第一像素電極，所述第一漏極覆蓋在所述第一像素電極上，所述第一源極形成在所述第二接觸孔之上，所述第一源極和第一漏極分別通過第一接觸孔和第二接觸孔與所述第一有源塊電性連接。

本實用新型提供的所述薄膜晶體管陣列基板中，所述薄膜晶體管還包括形成在所述第一有源塊與第一源極之間，并與所述第一像素電極間隔設置、且與其位于同一層的第一像素電極保留段，所述第一像素電極保留段至少覆蓋所述第二接觸孔，所述第一源極所述第一像素電極和第一像素電極保留段之間形成所述薄膜晶體管的第一溝道區。

本實用新型提供的所述薄膜晶體管陣列基板中，所述薄膜晶體管還包括第一鈍化層，所述第一鈍化層至少覆蓋所述第一源極、第一漏極、第一溝道區和信號線。

本實用新型提供的所述薄膜晶體管陣列基板中，由于第一像素電極先于第一源極和第一漏極形成，或者第一源極、第一漏極和第一像素電極在同一制程中一并制成，使得所述薄膜晶體管陣列基板的整個工序只需5道或4道構圖工藝，因此簡化了工藝流程，提高了良品率；同時在第一有源塊和第一源極、第一有源塊和第一漏極之間設置了導電層，減小了第一源極、第一漏極與第一有源塊之間的接觸電阻，且第一有源塊與第一源極、第一漏極之間無需額外的制作一歐姆接觸層，且進一步簡化了工藝流程。

附圖說明

下面將結合附圖及具體實施方式對本實用新型作進一步說明，附圖中：

圖1為本實用新型提供的一較佳實施方式的薄膜晶體管陣列基板的示意圖；

圖2為圖1所示薄膜晶體管沿A-A方向的一截面示意圖；

圖3A至3E為圖1所示的薄膜晶體管陣列基板的制作方法的一種較佳實施方式的制作流程圖，其中圖3A-1至3A-2為第一道構圖示意圖，圖3B-1至3B-3為第二道構圖示意圖,圖3C-1至3C-2為第三道構圖示意圖,圖3D-1至3D-3為第四道構圖示意圖,圖3E-1至3E-2為第五道構圖示意圖；

圖4A至4E為圖1所示的薄膜晶體管陣列基板的制作方法的另一較佳實施方式的制作流程圖，其中圖4A-1至4A-2為第六道構圖示意圖，圖4B-1至4B-3為第七道構圖示意圖,圖4C-1至4C-2為第八道構圖示意圖,圖4D-1至4D-3為第九構圖示意圖,圖4E-1至4E-2為第十道構圖示意圖。