[實用新型]一種薄膜晶體管陣列基板

有效

• 申請號: 201420162725.6
• 申請日: 2014-04-04
• 公開（公告）號: CN203774329U
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 王士敏;趙約瑟;張超;李紹宗
• 申請（專利權）人: 深圳萊寶高科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括具有第一表面的基板、形成于所述基板的第一表面上的多條掃描線、多條信號線、多個薄膜晶體管及多個第一像素電極；

所述多條掃描線和多條信號線相互交叉在所述第一表面上，并定義出多個像素區域，且每個像素區域內至少設有一個所述薄膜晶體管和一個第一像素電極，每一個所述薄膜晶體管分別與一所述掃描線和信號線電性連接；

所述薄膜晶體管至少包括第一柵極、第一有源塊、第一源極、第一漏極和第一像素電極，所述第一像素電極先于第一源極或第一漏極形成，或者第一源極、第一漏極和第一像素電極在同一制程中一并制成。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述第一柵極形成于所述基板的第一表面上，所述第一柵絕緣層形成于所述第一柵極上，并覆蓋所述第一柵極及掃描線，所述第一有源塊設置于所述第一柵極上方的第一柵絕緣層上，所述第一阻擋層覆蓋于所述第一有源塊上，所述第一阻擋層在覆蓋所述第一有源塊的位置具有第一接觸孔和第二接觸孔，所述第一阻擋層上形成有至少覆蓋所述第一接觸孔的第一像素電極，所述第一漏極覆蓋在所述第一像素電極上，所述第一源極形成在所述第二接觸孔之上，所述第一源極和第一漏極分別通過第一接觸孔和第二接觸孔與所述第一有源塊電性連接。

3.如權利要求2所示的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述薄膜晶體管還包括形成在所述第一有源塊與第一源極之間，并與所述第一像素電極間隔設置、且與其位于同一層的第一像素電極保留段，所述第一像素電極保留段至少覆蓋所述第二接觸孔，所述第一源極所述第一像素電極和第一像素電極保留段之間形成所述薄膜晶體管的第一溝道區。

4.如權利要求3所示的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述薄膜晶體管還包括第一鈍化層，所述第一鈍化層至少覆蓋所述第一源極、第一漏極、第一溝道區和信號線。