[實(shí)用新型]一種芯片型保護(hù)元件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420153609.8
• 申請日: 2014-04-01
• 公開（公告）號: CN203787375U
• 公開（公告）日: 2014-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 南式榮;劉明龍
• 申請（專利權(quán)）人: 南京薩特科技發(fā)展有限公司
• 主分類號: H01H85/041
• 分類號: H01H85/041
• 代理公司: 南京眾聯(lián)專利代理有限公司 32206
• 代理人: 顧進(jìn);葉涓涓

技術(shù)領(lǐng)域

????本實(shí)用新型屬于電氣元件技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種芯片型保護(hù)元件，尤其是涉及一種具有垂直對角穿絲結(jié)構(gòu)的高分?jǐn)嗄芰Α⒏呖煽啃缘倪^流保護(hù)元件。

背景技術(shù)

保護(hù)元件一般串接在電路中，在電路中出現(xiàn)過電流或過熱等異常現(xiàn)象時(shí)，會(huì)立即切斷電路而起到保護(hù)的作用，以防止故障進(jìn)一步擴(kuò)大。傳統(tǒng)的保護(hù)元件主要有兩種結(jié)構(gòu)形式，一種是將熔斷體水平穿絲懸空安裝在管狀絕緣殼體內(nèi)，以端帽密封管體兩端并提供與內(nèi)部熔絲的電連接及表面焊接的功能；另一種是將熔斷體成型在絕緣基板表面，再外加保護(hù)層等結(jié)構(gòu)蓋住熔斷體，然后在基板兩端分別形成端部電極以引出熔斷體并進(jìn)行表面焊接。這兩種傳統(tǒng)的保護(hù)元件結(jié)構(gòu)均有兩個(gè)相似的固有缺陷：它們的端部電極均形成正對電極結(jié)構(gòu)，易在高電壓下分?jǐn)鄷r(shí)形成持續(xù)拉弧；熔斷體在分?jǐn)嗪螅浣饘僬羝壮练e在絕緣外殼或基板表面，造成分?jǐn)嗪螽a(chǎn)品絕緣電阻降低，嚴(yán)重時(shí)還可能發(fā)生長時(shí)間無法斷開的情況。

為了克服現(xiàn)有缺陷，行業(yè)內(nèi)也在進(jìn)行保護(hù)元件構(gòu)造的逐步改進(jìn)，但仍然存在著不足：

例如公開號為JP2006-244948A的日本發(fā)明專利和申請?zhí)枮?01110123326.X的中國發(fā)明專利提出一種懸空熔絲結(jié)構(gòu)的表面貼裝熔斷器，將熔斷體懸空穿過一個(gè)空腔安裝在絕緣基板兩端的凹槽內(nèi)，對傳統(tǒng)表面貼裝熔斷器結(jié)構(gòu)的兩個(gè)固有缺陷均有所改善，但缺陷仍然存在、未能完全解決。

公開號為JP2012-252846A的日本發(fā)明專利提供了一種水平對角穿絲的熔斷器結(jié)構(gòu)及制作方法，將金屬熔體按絕緣外殼對角線方向穿過，從而避免了金屬熔體因與絕緣外殼距離過近而導(dǎo)致的產(chǎn)品絕緣電阻低或熔斷不良等可靠性問題。公開號為JP2008-198562A的日本專利，公開了一種熔斷器結(jié)構(gòu)，通過采用兩塊階梯狀基板形成空腔的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，將基板端部形成一個(gè)凸起防止兩端部電極因正面相對而在高電壓下持續(xù)拉弧。但上述兩種產(chǎn)品中熔體仍然需要從兩端部引出，并與端部電極形成電連接，從而熔體要以導(dǎo)電膠固定在基板凸起部，并不能將兩端部電極完全阻隔，且這一結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)非常復(fù)雜，批量化生產(chǎn)困難，兩基板的粘合強(qiáng)度一般也難以抵御熔體分?jǐn)鄷r(shí)產(chǎn)生的爆炸能量。

公開號為JP2008-52961A的日本發(fā)明專利公開了一種熔斷器結(jié)構(gòu)，其具有上下兩個(gè)絕緣基板，上基板中部具有一個(gè)空腔，兩側(cè)分別形成“凹”字形平臺(tái)，下基板中部也具有一個(gè)空腔，與上基板空腔相對，兩側(cè)分別形成“凸”字形平臺(tái)，并進(jìn)行金屬化處理，平臺(tái)內(nèi)側(cè)架設(shè)金屬熔體，并懸空穿過空腔。該種熔斷器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)降低了端部正對電極的影響，也形成了懸空熔絲的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，對表面貼裝熔斷器在分?jǐn)嗄芰涂煽啃阅芊矫婢斜容^大的改善，但熔斷器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)復(fù)雜，對組裝設(shè)備的要求很高，成本高昂，難以實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述問題，本實(shí)用新型公開了一種芯片型保護(hù)元件，將金屬熔體采用垂直對角穿絲形成懸空熔絲結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，生產(chǎn)出的芯片型保護(hù)元件具有高分?jǐn)嗄芰透呖煽啃缘膬?yōu)點(diǎn)，消除了傳統(tǒng)熔斷器結(jié)構(gòu)的兩個(gè)固有缺陷，且結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)簡單，成本低，易實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)。

為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：

一種芯片型保護(hù)元件，包括絕緣基板、設(shè)置在絕緣基板內(nèi)的金屬熔體、形成于絕緣基板兩頭的端部電極以及形成于絕緣基板外表面的保護(hù)層；所述絕緣基板的中部形成有通孔，通孔開口方向與端部電極垂直，絕緣基板的上、下表面分別設(shè)置有與通孔相連的凹槽，金屬熔體自絕緣基板的一側(cè)凹槽穿入、呈對角方向貫穿通孔后自另一側(cè)凹槽穿出，金屬熔體兩端通過導(dǎo)電膠固定在凹槽內(nèi)、并與絕緣基板兩頭的端部電極形成電連接；所述保護(hù)層形成于端部電極之間。

進(jìn)一步的，所述通孔內(nèi)填充有滅弧材料；和/或所述絕緣基板內(nèi)部形成至少一個(gè)減壓槽，所述減壓槽與所述通孔連通。

進(jìn)一步的，所述通孔的上、下表面兩側(cè)分別設(shè)置有凹槽。

進(jìn)一步的，所述絕緣基板上形成有至少兩個(gè)彼此平行的通孔，每個(gè)通孔內(nèi)都穿過金屬熔體。

進(jìn)一步的，所述金屬熔體與通孔的中心線相交。

進(jìn)一步的，所述的通孔截面形狀為圓形或方形。

進(jìn)一步的，所述的凹槽為方形槽或半圓形槽。