[實用新型]GaN基等離子激元探測器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420150501.3 | 申請日： | 2014-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN203760501U | 公開（公告）日： | 2014-08-06 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王俊龍;梁士雄;邢東;張立森;楊大寶;蔚翠;馮志紅 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號： | H01L31/108 | 分類號： | H01L31/108;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 國省代碼： | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | gan 等離子 探測器 | ||
1.一種GaN基等離子激元探測器，其特征在于自下至上包括襯底（10）、AlN緩沖層（9）、GaN層（8）和AlGaN層（2），AlGaN層（2）面積小于GaN層（8）面積，在AlGaN層（2）上方左側(cè)為源端歐姆接觸金屬層（1），AlGaN層（2）上方右側(cè)為漏端歐姆接觸金屬層（6），所述源端歐姆接觸金屬層（1）和漏端歐姆接觸金屬層（6）均與AlGaN層（2）和GaN層（8）相接觸，源端歐姆接觸金屬層（1）和漏端歐姆接觸金屬層（6）在AlGaN層（2）和GaN層（8）上的厚度相等且大于AlGaN層（2）的厚度；AlGaN層（2）上方中間為石墨烯層，所述石墨烯層包括第一石墨烯層（3）、第二石墨烯層（5）和石墨烯周期型柵肖特基接觸層（7），所述第一石墨烯層（3）與第二石墨烯層（5）相連且呈T形分布，第二石墨烯層（5）與石墨烯周期型柵肖特基接觸層（7）相連，所述石墨烯周期型柵肖特基接觸層（7）由平行且均勻分布的10-100個條形石墨烯構(gòu)成，所述石墨烯層與AlGaN層（2）和GaN層（8）相接觸；所述第一石墨烯層（3）上設有歐姆接觸電極（4）。
2.根據(jù)權(quán)利要求１所述的GaN基等離子激元探測器，其特征在于所述襯底（10）為藍寶石、Si、SiC或者GaN。
3.根據(jù)權(quán)利要求１所述的GaN基等離子激元探測器，其特征在于所述源端歐姆接觸金屬層（1）自下至上依次為Ti、Al、Ni、Au。
4.根據(jù)權(quán)利要求１所述的GaN基等離子激元探測器，其特征在于所述漏端歐姆接觸金屬層（6）自下至上依次為Ti、Al、Ni、Au。
5.根據(jù)權(quán)利要求１所述的GaN基等離子激元探測器，其特征在于所述歐姆接觸電極（4）采用金屬材料制成，金屬材料自下至上依次為Ti、Au。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
