[實用新型]吹掃裝置有效
| 申請號: | 201420149062.4 | 申請日: | 2014-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN203774267U | 公開(公告)日: | 2014-08-13 |
| 發明(設計)人: | 樓豐瑞 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 100176 北京市大興區*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及半導體制造領域,尤其涉及一種吹掃裝置。
背景技術
半導體制造工藝中,刻蝕工藝是十分重要的一環。隨著半導體器件的特征尺寸的逐漸縮小,對刻蝕工藝的要求也越來越高,對刻蝕的精準度和程度等均有著極大的挑戰。通常情況下,刻蝕設備采用的刻蝕氣體多為HBr和Cl2。
在晶圓在設備機臺的刻蝕腔體內完成刻蝕工藝后會傳輸回晶圓盒(FOUP)內。然而,晶圓的表面殘留的部分Br或Cl鹵族元素會與設備機臺內大氣中的水汽發生反應,生成相應的酸,由于設備機臺內部大多為金屬材質,因此酸會腐蝕對設備機臺內進行腐蝕,進而容易產生顆粒等,最終會導致設備機臺的使用壽命大大降低,嚴重時會導致晶圓缺陷增加幾率。
針對現有的問題,通常解決方式為設備工程師定期清理設備機臺的內部,更換設備機臺內部的機械手臂等方式來減少對晶圓造成的缺陷,然而,該種解決方式大大增加了生產成本,同時影響設備的使用率,影響工廠的產能以及危及設備工程師的安全。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種吹掃裝置,能夠對設備機臺內部進行氣體吹掃,能夠降低設備機臺內部的濕度,加大設備機臺內部氣體的流速,避免形成酸對設備機臺內部的腐蝕以及降低晶圓缺陷的產生。
為了實現上述目的,本實用新型提出了一種吹掃裝置,用于對設備機臺內部進行氣體吹掃,所述裝置包括至少一個導流模塊以及多個管路,其中,所述導流模塊與所述設備機臺相連通,所述管路一端連接導流模塊,另一端連接氣源。
進一步的,所述吹掃裝置還包括一壓力表,所述壓力表固定在所述管路上。
進一步的,所述吹掃裝置還包括一調壓閥,所述調壓閥固定在所述管路上。
進一步的,所述吹掃裝置還包括一手閥,所述手閥固定在所述管路上。
進一步的,所述導流模塊為2個,并通過所述管路相連通。
進一步的,所述導流模塊通過螺絲與所述設備機臺相連通。
進一步的,所述管路通過焊接方式與所述導流模塊相連通。
進一步的,所述管路與所述導流模塊相連的一端還設有均流板。
進一步的,所述均流板為圓形,并設有多個均勻排列的通孔。
進一步的,所述管路是直徑為1/2英寸的不銹鋼管路。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果主要體現在:在設備機臺上添加導流模塊和管路,管路一端與導流模塊相連,另一端連接氣源,由氣源提供惰性氣體從而通過管路和導流模塊對設備機臺內部進行惰性氣體的吹掃,排出大氣以及大氣中的水汽,從而避免鹵族元素與水汽發生反應生成酸,進而避免酸對設備機臺的腐蝕,一方面能夠提高設備機臺的使用壽命,另一方面能夠降低晶圓缺陷的產生。
附圖說明
圖1為本實用新型一實施例中吹掃裝置的結構示意圖;
圖2為本實用新型一實施例中均流板的結構示意圖。
具體實施方式
下面將結合示意圖對本實用新型的吹掃裝置進行更詳細的描述,其中表示了本實用新型的優選實施例,應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本實用新型,而仍然實現本實用新型的有利效果。因此,下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道,而并不作為對本實用新型的限制。
為了清楚,不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中,不詳細描述公知的功能和結構,因為它們會使本實用新型由于不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發中,必須做出大量實施細節以實現開發者的特定目標,例如按照有關系統或有關商業的限制,由一個實施例改變為另一個實施例。另外,應當認為這種開發工作可能是復雜和耗費時間的,但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規工作。
在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實用新型。根據下面說明和權利要求書,本實用新型的優點和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例,僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。
請參考圖1,在本實施例中提出了一種吹掃裝置,用于對設備機臺10內部進行氣體吹掃,所述裝置包括至少一個導流模塊20以及多個管路21,其中,所述導流模塊20與所述設備機臺10相連,所述管路21一端連接導流模塊20,另一端連接氣源(圖未示出)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





