[實用新型]嵌有環形柵MOSFET的抗輻射SCR靜電防護器件有效
| 申請號： | 201420145033.0 | 申請日： | 2014-03-28 |
| 公開（公告）號： | CN203883004U | 公開（公告）日： | 2014-10-15 |
| 發明（設計）人： | 謝晶;袁永剛;李曉娟;王玲;王繼強;馬丁;劉伯路;李向陽 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 環形 mosfet 輻射 scr 靜電 防護 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種嵌有環形柵MOSFET的抗輻射SCR靜電防護器件，包括：MOSFET和SCR，其特征在于：所述的MOSFET為環形柵MOSFET，其中環形柵NMOS管的源端和柵端通過金屬導線連接到SCR的陰極；環形柵PMOS管的源端和柵端通過金屬導線連接到SCR的陽極。?
2.根據權利要求1所述的一種嵌有環形柵MOSFET的抗輻射SCR靜電防護器件，其特征在于：所述的環形柵MOSFET是嵌入環形柵NMOS、環形柵PMOS、或同時增加P型阱區及N型深阱區的環形柵MOSFET。?
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
