[實用新型]雙列直插封裝的框架

有效

• 申請號: 201420144273.9
• 申請日: 2014-03-27
• 公開（公告）號: CN203812872U
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發明（設計）人: 余晉杉;沐運華;廖偉強
• 申請（專利權）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/36
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 李芙蓉;李雙皓

技術領域

本實用新型涉及半導體封裝技術領域，特別是涉及一種雙列直插封裝技術中使用的框架。

背景技術

一般情況下，雙列直插封裝（DIP）形式的半導體產品使用平形框架，芯片通過焊料焊接在底部金屬基島上，基島從封裝底部外露散熱。

這種封裝形式的散熱完全依靠晶粒自身來絕緣，對晶粒的絕緣性要求高，且貼附晶粒的基島面積較小，基島主要起到均勻晶粒的溫度外，實際的散熱性能較差。且芯片與內引腳之間使用金線或鋁線連接，金線或鋁線受直徑限制，導熱能力不足。

鑒于上述缺陷，本發明人經過長時間的研究和實踐終于獲得了本發明創造。

實用新型內容

基于此，有必要提供一種提高散熱效果的雙列直插封裝的框架。

本實用新型的一種雙列直插封裝的框架，包括基島、芯片與內引腳，基島為平板狀，內引腳連接到基島，所述芯片安裝到所述基島上；

所述內引腳與所述基島的平板面之間具有夾角，所述內引腳與所述基島為一體成型。

作為一種可實施方式，所述芯片與所述基島以焊接方式固定。

作為一種可實施方式，所述內引腳與所述基島的材質為銅。

作為一種可實施方式，所述的雙列直插封裝的框架還包括散熱片；

所述散熱片設置在所述基島上焊接所述芯片的另一側平面上；

所述散熱片與所述基島以樹脂粘接方式固定。

作為一種可實施方式，所述散熱片的材質為銅。

作為一種可實施方式，所述樹脂為高導熱材料。

作為一種可實施方式，所述樹脂完全覆蓋在所述基島設置所述散熱片的平面上。

與現有技術比較本實用新型的有益效果在于：雙列直插封裝的框架中的內引腳與基島形成一個整體，減少了傳熱距離，增大了熱傳遞方向的垂直面積，從而提高了散熱效果。

附圖說明

圖1為本實用新型的雙列直插封裝的框架的截面示意圖；

圖2為本實用新型的雙列直插封裝的框架的左視示意圖；

圖3為本實用新型的雙列直插封裝的框架的主視示意圖。

具體實施方式

為了解決散熱較差的問題，提出了一種雙列直插封裝的框架來提高散熱效果。

以下結合附圖，對本實用新型上述的和另外的技術特征和優點作更詳細的說明。

請參閱圖1所示，其為本實用新型的雙列直插封裝的框架的截面示意圖，本實用新型的一種雙列直插封裝的框架100包括基島110、芯片120與內引腳130。

基島110為平板狀，內引腳130連接到基島110，芯片120安裝到基島110上。

請參閱圖2所示，其為本實用新型的雙列直插封裝的框架的左視示意圖，內引腳130與基島110的平板面之間具有夾角，內引腳130通過折彎方式形成夾角，內引腳130與基島110為一體成型。

雙列直插封裝的框架100的芯片120在導熱過程中傳遞的熱量按照Fourier導熱定律計算：Q=λA(Th-Tc)/δ，

其中，A為芯片120與基島110的接觸面積，單位為m2；Th與Tc分別為芯片120與基島110的溫度；δ為芯片120與基島110之間的距離，單位為m；λ為芯片的導熱系數，單位為W/(m×℃）。

內引腳130與基島110形成一個整體，減少了芯片120與基島110之間的距離δ，增大了芯片120與基島110的接觸面積A，從而提高了散熱效果。

如圖1所示，內引腳130與芯片120之間使用鋁線160或金線170進行連接。

作為一種可實施方式，芯片120與基島110以焊接方式固定。芯片120與基島110貼合的面上無絕緣層。

作為一種可實施方式，內引腳130與基島110的材質為銅，銅的散熱能力較強，能提高導熱系數。

作為一種可實施方式，雙列直插封裝的框架100還包括散熱片140。

散熱片140設置在基島110上焊接芯片120的另一側平面上，散熱片140與基島110以樹脂150粘接方式固定。樹脂150的厚度很薄，δ值較小。

散熱片140的表面平整，在需要額外增加散熱器時，芯片120的熱量可以直接通過散熱片140傳導到散熱器上，消除了封裝材料與空氣的熱阻，熱量的傳導更為順暢。

作為一種可實施方式，散熱片140的材質為銅，銅的散熱能力較強。

作為一種可實施方式，樹脂150為高導熱材料。

作為一種可實施方式，樹脂150完全覆蓋在基島110設置散熱片140的平面上。