[實用新型]一種薄膜晶體管陣列基板及顯示面板有效
| 申請號: | 201420134883.0 | 申請日: | 2014-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN203774328U | 公開(公告)日: | 2014-08-13 |
| 發明(設計)人: | 梅新東;何基強;胡君文;李林;洪勝寶;張澤鵬;陳天佑 | 申請(專利權)人: | 信利半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L29/786;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/06 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 薄膜晶體管 陣列 顯示 面板 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,更具體地說,涉及一種薄膜晶體管陣列基板及顯示面板。
背景技術
顯示面板,例如:液晶顯示面板、LED(Light-Emitting?Diode,發光二極管)顯示面板、等離子體顯示面板等,具有畫質高、體積小、產品輕薄等優點,被廣泛應用于移動電話、筆記本電腦、電視機、臺式顯示器等消費性電子產品中。
顯示面板通常包括:相對設置的TFT(Thin?Film?Transistor,薄膜晶體管)陣列基板與CF(Color?Filter,彩膜)基板。其中,TFT陣列基板上具有呈陣列式排布的多個TFT,通過控制特定區域內TFT的導通和截止來點亮該區域內的像素點,進而能夠實現畫面的顯示。
控制TFT需要將TFT通過柵極線與掃描驅動電路相連,并通過數據線與數據驅動電路相連。由于數據驅動電路的結構十分復雜,因此控制數據驅動電路的數據驅動器的成本較為昂貴。
具有HSD(Half?Source?Driving,半源極驅動)架構的TFT陣列基板相對于傳統的TFT陣列基板,其數據線和數據驅動器的數目減半,能夠有效地降低制作成本。如圖1所示,與傳統的TFT陣列基板中一條柵極線控制一行子像素點及一條數據線控制一列子像素點的結構不同,具有半源極驅動架構的TFT陣列基板的一行子像素點103由兩條柵極線101控制,同一行子像素點103中奇數列的像素點與同一條柵極線101,偶數列的像素點與另外一條柵極線相連;相鄰兩列子像素點103共用一條數據線102,一條數據線102兩側的子像素點均各自通過TFT104與該數據線102相連,連接相鄰行且不同列的兩個子像素點與同一條數據線的兩個TFT104呈中心對稱的位置關系。
但是,上述結構的TFT陣列基板所形成的顯示面板的串擾等顯示畫面不良的問題較嚴重。
實用新型內容
本實用新型提供了一種薄膜晶體管陣列基板及顯示面板,以提高顯示畫面質量。
為實現上述目的,本實用新型提供了如下技術方案:
一種薄膜晶體管陣列基板,包括:基板;位于所述基板一側的柵極線、數據線、薄膜晶體管和像素電極,所述薄膜晶體管陣列基板具有半源極驅動架構,所述薄膜晶體管包括:柵極,所述柵極包括:相互間隔的第一子柵極和第二子柵極,所述第一子柵極和第二子柵極均與所述柵極線電性相連;硅島,所述硅島包括:相互間隔的第一硅島和第二硅島,所述第一硅島位于所述第一子柵極背離所述基板的一側,所述第二硅島位于所述第二子柵極背離所述基板的一側;位于所述第一硅島和第二硅島背離所述基板一側的漏極,所述漏極包括:與所述第一子柵極重疊的第一重疊部分;與所述第二子柵極重疊的第二重疊部分;位于所述第一子柵極和第二子柵極之間的像素電極連接部分,所述像素電極連接部分與所述像素電極電性相連。
優選的,所述第一重疊部分與第二重疊部分的寬度相等。
優選的,在沿所述數據線的方向上,所述像素電極連接部分的尺寸大于所述第一重疊部分的尺寸和所述第二重疊部分的尺寸。
優選的,所述像素電極包括:像素電極本體和凸出于所述像素電極本體的漏極連接部分,所述像素電極通過所述漏極連接部分與所述像素電極連接部分電性相連。
優選的,所述漏極連接部分位于所述第一子柵極和第二子柵極之間。
優選的,所述薄膜晶體管包括:位于所述第一硅島背離所述基板一側的源極,所述源極的一端與所述數據線電性相連,另一端與所述第一子柵極重疊。
優選的,所述源極與所述第一子柵極重疊的一端為U字形。
本實用新型還提供了一種顯示面板,包括以上任一項所述的薄膜晶體管陣列基板。
與現有技術相比,本實用新型所提供的技術方案至少具有以下優點:
本實用新型所提供的TFT陣列基板及顯示面板,通過將TFT的柵極與硅島分成相互間隔的兩部分,并使漏極橫跨這兩部分,漏極的兩個端部分別與被分成兩部分的柵極重疊,漏極位于兩部分柵極之間的部分與像素電極電性相連,這種結構使得無論漏極相對于柵極的對位是否存在偏差,各個TFT的柵極與漏極的重疊面積相同且均為一定值,從而各個TFT的柵極與漏極之間存在的寄生電容也相同且均為一定值。由于柵極與漏極之間的寄生電容直接影響與TFT相連的像素電極的饋通電壓,因此本實用新型中,與同一條數據線相連的各個像素電極的饋通電壓是一致的,消除了數據線兩側相鄰的兩列子像素點饋通電壓波動引起的畫面串擾等顯示缺陷,提高了畫面質量。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





