[實用新型]一種薄膜晶體管陣列基板及顯示面板有效
| 申請號: | 201420134883.0 | 申請日: | 2014-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN203774328U | 公開(公告)日: | 2014-08-13 |
| 發明(設計)人: | 梅新東;何基強;胡君文;李林;洪勝寶;張澤鵬;陳天佑 | 申請(專利權)人: | 信利半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L29/786;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/06 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 516600 廣東省汕尾*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 薄膜晶體管 陣列 顯示 面板 | ||
1.一種薄膜晶體管陣列基板,包括:基板;位于所述基板一側的柵極線、數據線、薄膜晶體管和像素電極,所述薄膜晶體管陣列基板具有半源極驅動架構,其特征在于,所述薄膜晶體管包括:
柵極,所述柵極包括:相互間隔的第一子柵極和第二子柵極,所述第一子柵極和第二子柵極均與所述柵極線電性相連;
硅島,所述硅島包括:相互間隔的第一硅島和第二硅島,所述第一硅島位于所述第一子柵極背離所述基板的一側,所述第二硅島位于所述第二子柵極背離所述基板的一側;
位于所述第一硅島和第二硅島背離所述基板一側的漏極,所述漏極包括:與所述第一子柵極重疊的第一重疊部分;與所述第二子柵極重疊的第二重疊部分;位于所述第一子柵極和第二子柵極之間的像素電極連接部分,所述像素電極連接部分與所述像素電極電性相連。
2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于,所述第一重疊部分與第二重疊部分的寬度相等。
3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于,在沿所述數據線的方向上,所述像素電極連接部分的尺寸大于所述第一重疊部分的尺寸和所述第二重疊部分的尺寸。
4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于,所述像素電極包括:像素電極本體和凸出于所述像素電極本體的漏極連接部分,所述像素電極通過所述漏極連接部分與所述像素電極連接部分電性相連。
5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于,所述漏極連接部分位于所述第一子柵極和第二子柵極之間。
6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于,所述薄膜晶體管包括:位于所述第一硅島背離所述基板一側的源極,所述源極的一端與所述數據線電性相連,另一端與所述第一子柵極重疊。
7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板,其特征在于,所述源極與所述第一子柵極重疊的一端為U字形。
8.一種顯示面板,其特征在于,包括權利要求1~7任一項所述的薄膜晶體管陣列基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





