[實用新型]半導體集成電路和半導體模塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420123307.6 | 申請日: | 2014-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN203747671U | 公開(公告)日: | 2014-07-30 |
| 發(fā)明(設計)人: | 杉田純一;坂井邦崇;砂川千秋;鈴木直仁;前川祐也 | 申請(專利權(quán))人: | 三墾電氣株式會社 |
| 主分類號: | H02M7/00 | 分類號: | H02M7/00;H02M7/48;H02H7/122;H02P6/08 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導體 集成電路 模塊 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及例如用于對半導體開關(guān)元件進行驅(qū)動的半導體集成電路和半導體模塊。
背景技術(shù)
公知有將功率因數(shù)改善電路和逆變器電路密封在單個樹脂封裝內(nèi)的以往的半導體模塊(專利文獻1)。以往的半導體模塊包含構(gòu)成功率因數(shù)改善電路的半導體元件和構(gòu)成逆變器電路的半導體元件。此外,以往的半導體模塊包含對功率因數(shù)改善電路和逆變器電路的開關(guān)元件進行驅(qū)動的半導體集成電路。由于以往的半導體模塊集成了多個電路部件,因此有助于自身所安裝的電路基板的小型化。
專利文獻1:日本特開2002-233165
實用新型內(nèi)容
本實用新型提供如下的半導體集成電路和半導體模塊:在半導體模塊的異常時可靠地使開關(guān)元件斷開,從而具有高可靠性。
根據(jù)本實用新型的一個方式,提供一種半導體集成電路,其用于對逆變器電路進行驅(qū)動,所述逆變器電路包含串聯(lián)連接在直流電源部的第1輸出端與第2輸出端之間的第1開關(guān)元件和第2開關(guān)元件,該半導體集成電路的特征在于,具有:高壓側(cè)驅(qū)動部,其與所述第1開關(guān)元件連接;低壓側(cè)驅(qū)動部,其與所述第2開關(guān)元件連接;以及保護信號輸出部,其至少在所述逆變器電路的異常時,將保護信號輸出到所述高壓側(cè)驅(qū)動部和所述低壓側(cè)驅(qū)動部,所述高壓側(cè)驅(qū)動部具有輸出高壓側(cè)內(nèi)部控制信號的高壓側(cè)信號處理部,所述低壓側(cè)驅(qū)動部具有輸出低壓側(cè)內(nèi)部控制信號的低壓側(cè)信號處理部。
所述高壓側(cè)信號處理部具有第1高壓側(cè)邏輯部,該第1高壓側(cè)邏輯部在接收到所述保護信號時抑制所述高壓側(cè)內(nèi)部控制信號的輸出,所述低壓側(cè)信號處理部具有低壓側(cè)邏輯部,該低壓側(cè)邏輯部在接收到所述保護信號時抑制所述低壓側(cè)內(nèi)部控制信號的輸出。
所述高壓側(cè)驅(qū)動部具有高壓側(cè)脈沖信號輸出部,該高壓側(cè)脈沖信號輸出部輸出基于所述高壓側(cè)內(nèi)部控制信號的置位脈沖信號和復位脈沖信號。
所述高壓側(cè)脈沖信號輸出部具有第2高壓側(cè)邏輯部,該第2高壓側(cè)邏輯部與所述保護信號輸出部連接,在接收到所述保護信號時抑制所述置位脈沖信號的輸出。
所述高壓側(cè)信號處理部具有第1高壓側(cè)邏輯部,該第1高壓側(cè)邏輯部在接收到所述保護信號時抑制所述高壓側(cè)內(nèi)部控制信號的輸出,所述低壓側(cè)信號處理部具有低壓側(cè)邏輯部,該低壓側(cè)邏輯部在接收到所述保護信號時抑制所述低壓側(cè)內(nèi)部控制信號的輸出。
所述半導體集成電路具有保護脈沖信號輸出部,該保護脈沖信號輸出部與所述保護信號輸出部連接,所述保護脈沖信號輸出部在接收到所述保護信號時輸出保護脈沖信號。
所述高壓側(cè)脈沖信號輸出部具有第4高壓側(cè)邏輯部,該第4高壓側(cè)邏輯部與所述保護脈沖信號輸出部連接,在接收到所述保護脈沖信號時輸出所述復位脈沖信號。
所述高壓側(cè)脈沖信號輸出部具有第3高壓側(cè)邏輯部,該第3高壓側(cè)邏輯部與所述保護信號輸出部連接,在接收到所述保護信號時抑制所述置位脈沖信號的輸出。
所述高壓側(cè)信號處理部具有第1高壓側(cè)邏輯部,該第1高壓側(cè)邏輯部在接收到所述保護信號時抑制所述高壓側(cè)內(nèi)部控制信號的輸出,所述低壓側(cè)信號處理部具有低壓側(cè)邏輯部,該低壓側(cè)邏輯部在接收到所述保護信號時抑制所述低壓側(cè)內(nèi)部控制信號的輸出。
所述直流電源部是功率因數(shù)改善電路,該功率因數(shù)改善電路包含功率因數(shù)改善開關(guān)元件,在所述第1輸出端與第2輸出端之間輸出直流電力,所述半導體集成電路具有與所述功率因數(shù)改善開關(guān)元件連接的功率因數(shù)改善電路驅(qū)動部。
所述高壓側(cè)驅(qū)動部具有高壓側(cè)脈沖信號輸出部,該高壓側(cè)脈沖信號輸出部輸出基于所述高壓側(cè)內(nèi)部控制信號的置位脈沖信號和復位脈沖信號。
所述半導體集成電路具有保護脈沖信號輸出部,該保護脈沖信號輸出部與所述保護信號輸出部連接,所述保護脈沖信號輸出部在接收到所述保護信號時輸出保護脈沖信號。
所述高壓側(cè)脈沖信號輸出部具有第4高壓側(cè)邏輯部,該第4高壓側(cè)邏輯部與所述保護脈沖信號輸出部連接,在接收到所述保護脈沖信號時輸出所述復位脈沖信號。
所述高壓側(cè)脈沖信號輸出部具有第3高壓側(cè)邏輯部,該第3高壓側(cè)邏輯部與所述保護信號輸出部連接,在接收到所述保護信號時抑制所述置位脈沖信號的輸出。
所述高壓側(cè)信號處理部具有第1高壓側(cè)邏輯部,該第1高壓側(cè)邏輯部在接收到所述保護信號時抑制所述高壓側(cè)內(nèi)部控制信號的輸出,所述低壓側(cè)信號處理部具有低壓側(cè)邏輯部,該低壓側(cè)邏輯部在接收到所述保護信號時抑制所述低壓側(cè)內(nèi)部控制信號的輸出。
根據(jù)本實用新型的另一個方式,提供一種半導體模塊,其特征在于,該半導體模塊具有上述的半導體集成電路、直流電源部以及逆變器電路。
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