[實用新型]半導(dǎo)體集成電路和半導(dǎo)體模塊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420123307.6
• 申請日: 2014-03-18
• 公開（公告）號: CN203747671U
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 杉田純一;坂井邦崇;砂川千秋;鈴木直仁;前川祐也
• 申請（專利權(quán)）人: 三墾電氣株式會社
• 主分類號: H02M7/00
• 分類號: H02M7/00;H02M7/48;H02H7/122;H02P6/08
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

1.一種半導(dǎo)體集成電路，其用于對逆變器電路進(jìn)行驅(qū)動，所述逆變器電路包含串聯(lián)連接在直流電源部的第1輸出端與第2輸出端之間的第1開關(guān)元件和第2開關(guān)元件，該半導(dǎo)體集成電路的特征在于，具有：

高壓側(cè)驅(qū)動部，其與所述第1開關(guān)元件連接；

低壓側(cè)驅(qū)動部，其與所述第2開關(guān)元件連接；以及，

保護(hù)信號輸出部，其至少在所述逆變器電路的異常時，將保護(hù)信號輸出到所述高壓側(cè)驅(qū)動部和所述低壓側(cè)驅(qū)動部，

所述高壓側(cè)驅(qū)動部具有輸出高壓側(cè)內(nèi)部控制信號的高壓側(cè)信號處理部，

所述低壓側(cè)驅(qū)動部具有輸出低壓側(cè)內(nèi)部控制信號的低壓側(cè)信號處理部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，

所述高壓側(cè)信號處理部具有第1高壓側(cè)邏輯部，該第1高壓側(cè)邏輯部在接收到所述保護(hù)信號時抑制所述高壓側(cè)內(nèi)部控制信號的輸出，

所述低壓側(cè)信號處理部具有低壓側(cè)邏輯部，該低壓側(cè)邏輯部在接收到所述保護(hù)信號時抑制所述低壓側(cè)內(nèi)部控制信號的輸出。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，

所述高壓側(cè)驅(qū)動部具有高壓側(cè)脈沖信號輸出部，該高壓側(cè)脈沖信號輸出部輸出基于所述高壓側(cè)內(nèi)部控制信號的置位脈沖信號和復(fù)位脈沖信號。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，

所述高壓側(cè)脈沖信號輸出部具有第2高壓側(cè)邏輯部，該第2高壓側(cè)邏輯部與所述保護(hù)信號輸出部連接，在接收到所述保護(hù)信號時抑制所述置位脈沖信號的輸出。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，

所述高壓側(cè)信號處理部具有第1高壓側(cè)邏輯部，該第1高壓側(cè)邏輯部在接收到所述保護(hù)信號時抑制所述高壓側(cè)內(nèi)部控制信號的輸出，

所述低壓側(cè)信號處理部具有低壓側(cè)邏輯部，該低壓側(cè)邏輯部在接收到所述保護(hù)信號時抑制所述低壓側(cè)內(nèi)部控制信號的輸出。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，

所述半導(dǎo)體集成電路具有保護(hù)脈沖信號輸出部，該保護(hù)脈沖信號輸出部與所述保護(hù)信號輸出部連接，

所述保護(hù)脈沖信號輸出部在接收到所述保護(hù)信號時輸出保護(hù)脈沖信號。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，

所述高壓側(cè)脈沖信號輸出部具有第4高壓側(cè)邏輯部，該第4高壓側(cè)邏輯部與所述保護(hù)脈沖信號輸出部連接，在接收到所述保護(hù)脈沖信號時輸出所述復(fù)位脈沖信號。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，

所述高壓側(cè)脈沖信號輸出部具有第3高壓側(cè)邏輯部，該第3高壓側(cè)邏輯部與所述保護(hù)信號輸出部連接，在接收到所述保護(hù)信號時抑制所述置位脈沖信號的輸出。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，

所述高壓側(cè)信號處理部具有第1高壓側(cè)邏輯部，該第1高壓側(cè)邏輯部在接收到所述保護(hù)信號時抑制所述高壓側(cè)內(nèi)部控制信號的輸出，

所述低壓側(cè)信號處理部具有低壓側(cè)邏輯部，該低壓側(cè)邏輯部在接收到所述保護(hù)信號時抑制所述低壓側(cè)內(nèi)部控制信號的輸出。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，

所述直流電源部是功率因數(shù)改善電路，該功率因數(shù)改善電路包含功率因數(shù)改善開關(guān)元件，在所述第1輸出端與第2輸出端之間輸出直流電力，

所述半導(dǎo)體集成電路具有與所述功率因數(shù)改善開關(guān)元件連接的功率因數(shù)改善電路驅(qū)動部。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，

所述高壓側(cè)驅(qū)動部具有高壓側(cè)脈沖信號輸出部，該高壓側(cè)脈沖信號輸出部輸出基于所述高壓側(cè)內(nèi)部控制信號的置位脈沖信號和復(fù)位脈沖信號。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，

所述半導(dǎo)體集成電路具有保護(hù)脈沖信號輸出部，該保護(hù)脈沖信號輸出部與所述保護(hù)信號輸出部連接，

所述保護(hù)脈沖信號輸出部在接收到所述保護(hù)信號時輸出保護(hù)脈沖信號。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于，

所述高壓側(cè)脈沖信號輸出部具有第4高壓側(cè)邏輯部，該第4高壓側(cè)邏輯部與所述保護(hù)脈沖信號輸出部連接，在接收到所述保護(hù)脈沖信號時輸出所述復(fù)位脈沖信號。