[實用新型]一種倒裝芯片封裝結構

有效

• 申請號: 201420123220.9
• 申請日: 2014-03-19
• 公開（公告）號: CN203787456U
• 公開（公告）日: 2014-08-20
• 發明（設計）人: 龔文
• 申請（專利權）人: 深圳市晶臺股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及LED照明及封裝技術領域，具體地說是涉及一種新型的倒裝芯片封裝結構。

背景技術

傳統的正裝LED封裝，LED芯片的PN結熱量通過藍寶石襯底導出，藍寶石的導熱系數為35W/mK，比金屬層要差，導熱路徑比較長，LED的熱阻較大，而且這種封裝結構的電極和引線也會擋住部分光線出光，對整個器件的出光效率和散熱性能都不能達到最優的效果。為了改善這方面的不足，資歷深厚公司都在研發倒裝工藝，現有技術中倒裝結構LED光源散熱基板裝置包括散熱基層、導熱絕緣層、線路層及絕緣反射層，該結構在絕緣反射層上對應每一個LED倒裝芯片位置預留形成兩個孔徑或兩個銅柱，LED倒裝芯片的兩個P電極、N電極安裝在兩個孔徑或銅柱上，與線路層連接，但此封裝工藝中芯片容易跟基板電極焊盤移位，導致焊接失敗，使得封裝產品不良率很高。

因此，如何研究出一種新型的工藝簡單、良品率高的倒裝工藝結構成為了本領域技術人員亟需解決的問題。

發明內容

本實用新型要解決的技術問題是克服上述缺陷，提供一種新型的倒裝芯片封裝結構。

為解決上述問題，本實用新型所采用的技術方案是：

一種倒裝芯片封裝結構，其特征在于，該結構包括有EMC支架、錫膏層、芯片和封裝膠體，其中所述EMC支架上包括有EMC支架金屬層和EMC支架塑膠，芯片倒裝焊接于EMC支架金屬層上，芯片與EMC支架金屬層之間涂有一層錫膏層，芯片的P、N電極分別與錫膏層粘接進行固化，所述芯片與EMC支架之間填充有封裝膠體。

優選地，所述芯片與EMC支架金屬層之間為回流焊倒裝焊接。

優選地，所述EMC支架的整體形狀為反射杯EMC支架結構。

本實用新型與現有技術相比，該倒裝芯片封裝結構將LED芯片直接固晶于EMC支架金屬層上，省去了傳統倒裝工藝中的基板底板布線、做凸點、凹點和焊金線工藝，降低了工藝難度和材料成本，并且通過回流焊爐將倒裝芯片的P電極和N電極分別與焊膏層粘接進行固化，良品率高。此外，EMC支架塑膠具有良好的耐高溫性能以及持久的高反射率，芯片的熱量可直接從電極導入EMC支架，同時避免EMC支架在回流焊爐焊接過程中因高溫引起支架發黃變形的現象。本實用新型用焊錫膏層替代了助焊劑，因此EMC支架金屬層無需選用AU/SN合金，降低了產品成本。

同時下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步說明。

附圖說明

圖1為本實用新型的剖面示意圖。

其中，圖中：1-EMC支架；2-EMC支架金屬層；3-EMC支架塑膠；4-錫膏層；5-芯片；6-芯片的P、N電極；7-封裝膠體。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。

如圖1所示，本實用新型提供了一種倒裝芯片封裝結構，該結構包括有EMC支架1、錫膏層4、芯片5和封裝膠體7，其中所述EMC支架1上包括有EMC支架金屬層2和EMC支架塑膠3，芯片5倒裝焊接于EMC支架金屬層2上，芯片5與EMC支架金屬層2之間涂有一層錫膏層4，芯片的P、N電極6分別與錫膏層4粘接進行固化，所述芯片5與EMC支架1之間填充有封裝膠體7。所述芯片5與EMC支架金屬層2之間為回流焊倒裝焊接。所述EMC支架1的整體形狀為反射杯EMC支架結構。

該倒裝芯片封裝結構將LED芯片5直接固晶于EMC支架金屬層2上，省去了傳統倒裝工藝中的基板底板布線、做凸點、凹點和焊金線工藝，降低了工藝難度和材料成本。EMC支架塑膠3具有良好的耐高溫性能以及持久的高反射率，芯片5的熱量可直接從電極導入EMC支架1，同時避免EMC支架1在回流焊爐焊接過程中因高溫引起支架發黃變形的現象。

本實用新型用錫膏層4替代了助焊劑，因此EMC支架金屬層2無需選用AU/SN合金，降低了產品成本。芯片5與EMC支架金屬層2之間通過回流焊爐倒裝焊接，具有無鉛環保獨立設計、全電腦自動控制、動能監控的功能，大大地提高了工作效率。

對所公開的實施例的上述說明的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本實用新型將不會被限制于本文所示的這些實施例，任何人應該得知在本實用新型的啟示下做出的結構變化，凡是與本實用新型具有相同或者相近似的技術方案，均屬于本實用新型的保護范圍。