[實用新型]一種多場效晶體管集成模塊

有效

• 申請號: 201420113490.1
• 申請日: 2014-03-13
• 公開（公告）號: CN203774320U
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 周華豐;張文華;馬關金
• 申請（專利權）人: 杭州明果教育咨詢有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/373
• 代理公司: 杭州浙科專利事務所(普通合伙) 33213
• 代理人: 吳秉中

技術領域

本實用新型屬于場效晶體管技術領域，具體為一種多場效晶體管集成模塊。

背景技術

在電機驅動領域，需要將金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）組成的六個橋臂連接成三相全橋方式用于驅動電機。多金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）合一集成化模塊的散熱器對整個模塊的穩定工作所起著非常重要的作用。但是現有技術中，由于多MOSFET合一集成化模塊的機箱內空間是一定的，有限的機箱內空間在很大程度上限制了散熱器的尺寸，在散熱器尺寸保持不變的情況下，想要提高散熱器的散熱效果則變得非常困難。

目前多MOSFET合一集成化模塊，所廣泛采用的結構是將敷銅陶瓷板焊接于銅底板上，也就是將敷銅陶瓷板通過焊片在高溫環境下焊接在銅底板上。通過設置于敷銅陶瓷板外部的外殼將敷銅陶瓷板壓緊并對其施加壓力，從而將銅底板固定于散熱器上，最終將多MOSFET合一集成化模塊在工作時產生的熱量散發出去。在這種現有的多MOSFET合一集成化模塊中，芯片所產生的熱量首先通過敷銅陶瓷板和銅底板之間的焊料傳導到銅底板上，然后再通過銅底板間接地將熱量傳導到散熱器上，最終通過散熱器散發出去。熱傳導過程中存在較多的介質（即焊料與銅底板），不利于熱量的直接耗散，大大影響了多MOSFET合一集成化模塊產品的散熱效果，從而降低了產品的可靠性、穩定性和安全性。

實用新型內容

針對現有技術中存在的上述問題，本實用新型的目的在于設計提供一種散熱效果好的多場效晶體管集成模塊的技術方案，保證了產品的可靠性、穩定性和安全性，且降低了材料成本，減少了產品厚度，從而減少了產品所占空間。

所述的一種多場效晶體管集成模塊，包括一組金屬氧化物半導體場效應管、敷銅陶瓷板、散熱器，金屬氧化物半導體場效應管安裝在敷銅陶瓷板上，其特征在于敷銅陶瓷板、散熱器之間配合設置導熱硅脂層，所述的導熱硅脂層厚度為50-150um。

所述的一種多場效晶體管集成模塊，其特征在于金屬氧化物半導體場效應管、敷銅陶瓷板及散熱器外部配合設置外殼，外殼將敷銅陶瓷板、散熱器緊壓配合。

所述的一種多場效晶體管集成模塊，其特征在于所述的導熱硅脂層均勻涂敷在敷銅陶瓷板底面上，敷銅陶瓷板緊壓導熱硅脂層使其與散熱器接觸面緊密接觸。

所述的一種多場效晶體管集成模塊，其特征在于所述的導熱硅脂層厚度為80-120um。

所述的一種多場效晶體管集成模塊，其特征在于所述的導熱硅脂層厚度為100-110um。

上述一種多場效晶體管集成模塊，敷銅陶瓷板與散熱器之間設置導熱硅脂層，可將多場效晶體管模塊在應用過程中形成的熱量更快更直接地傳導出去，減少了熱傳導過程中的介質，大大提高了產品的散熱效果，從而進一步保證了產品的可靠性、穩定性和安全性；同時，節省了現有多場效晶體管模塊中所廣泛采用的焊料和銅底板，不但降低了材料成本，而且減少了產品的厚度，從而減少了產品所占空間。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；?

圖中：1-金屬氧化物半導體場效應管、2-敷銅陶瓷板、3-散熱器、4-導熱硅脂層。

具體實施方式

以下結合說明書附圖對本實用新型作進一步說明。

如圖所示，該多場效晶體管集成模塊，包括一組金屬氧化物半導體場效應管1、敷銅陶瓷板2、散熱器3，金屬氧化物半導體場效應管1安裝在敷銅陶瓷板2上，敷銅陶瓷板2、散熱器3之間配合設置導熱硅脂層4。所述的導熱硅脂層4厚度為50-150um，優選80-120um，更優選100-110um。金屬氧化物半導體場效應管1、敷銅陶瓷板2及散熱器3外部配合設置外殼，外殼對敷銅陶瓷板2施加縱向壓力，從而將敷銅陶瓷板2緊緊地壓在散熱器3上。所述的導熱硅脂層4均勻涂敷在敷銅陶瓷板2底面上，敷銅陶瓷板2緊壓導熱硅脂層4使其與散熱器3接觸面緊密接觸。導熱硅脂能起到良好的傳熱媒介作用，因此，可將多MOSFET集成模塊在應用過程中形成的熱量更快更直接地傳導出去，減少了熱傳導過程中的介質，大大提高了產品的散熱效果，從而進一步保證了產品的可靠性、穩定性和安全性；而且通過采用導熱硅脂涂覆于敷銅陶瓷板2上與散熱器3接觸，導熱硅脂可以填充由于散熱器3凹凸不平而產生的空隙，使敷銅陶瓷板2與散熱器3的接觸更加緊密，從而使熱量的傳導更加順暢、迅速；同時，節省了現有模塊中所廣泛采用的焊料和銅底板，不但降低了材料成本，而且減少了模塊產品的厚度，從而減少了產品所占空間，尤其當多MOSFET集成模塊的空間布局確定的條件下，效果尤為顯著。