[實用新型]一種多場效晶體管集成模塊有效
| 申請號: | 201420113490.1 | 申請日: | 2014-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN203774320U | 公開(公告)日: | 2014-08-13 |
| 發明(設計)人: | 周華豐;張文華;馬關金 | 申請(專利權)人: | 杭州明果教育咨詢有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/07 | 分類號: | H01L25/07;H01L23/373 |
| 代理公司: | 杭州浙科專利事務所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 吳秉中 |
| 地址: | 310012 浙江省杭州*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多場效 晶體管 集成 模塊 | ||
1.?一種多場效晶體管集成模塊,包括一組金屬氧化物半導體場效應管(1)、敷銅陶瓷板(2)、散熱器(3),金屬氧化物半導體場效應管(1)安裝在敷銅陶瓷板(2)上,其特征在于敷銅陶瓷板(2)、散熱器(3)之間配合設置導熱硅脂層(4),所述的導熱硅脂層(4)厚度為50-150um。
2.?如權利要求1所述的一種多場效晶體管集成模塊,其特征在于金屬氧化物半導體場效應管(1)、敷銅陶瓷板(2)及散熱器(3)外部配合設置外殼,外殼將敷銅陶瓷板(2)、散熱器(3)緊壓配合。
3.?如權利要求1所述的一種多場效晶體管集成模塊,其特征在于所述的導熱硅脂層(4)均勻涂敷在敷銅陶瓷板(2)底面上,敷銅陶瓷板(2)緊壓導熱硅脂層(4)使其與散熱器(3)接觸面緊密接觸。
4.?如權利要求1所述的一種多場效晶體管集成模塊,其特征在于所述的導熱硅脂層(4)厚度為80-120um。
5.?如權利要求1所述的一種多場效晶體管集成模塊,其特征在于所述的導熱硅脂層(4)厚度為100-110um。
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