[實用新型]一種封裝結構

有效

• 申請號: 201420103451.3
• 申請日: 2014-03-07
• 公開（公告）號: CN203774294U
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 周勝平;孫寶亮;佟大明;何智清
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本實用新型涉及半導體制造的技術領域，尤其涉及一種封裝結構。

背景技術

隨著多種電子元件(如晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度的不斷改進，使得集成電路經歷了持續的快速發展。其中，集成電路的芯片封裝技術得到了人們普遍的重視。其中，倒裝芯片(Flip-Chip)封裝技術的應用范圍日益廣泛，對Flip-Chip封裝技術的要求也隨之提高。同時，Flip-Chip也向制造者提出了一系列新的嚴峻挑戰，如何為這項復雜的技術提供封裝，組裝及測試的可靠性支持。以往的一級封閉技術都是將芯片的有源區面朝上，背對基板和貼后鍵合，如引線健合和載帶自動健全（TAB）。Flip-Chip則將芯片有源區面對基板，通過芯片上呈陣列排列的焊料凸點實現芯片與襯底的互連，硅片直接以倒扣方式安裝到PCB，從硅片向四周引出I/O，使得互聯的長度大大縮短，減小了RC延遲，提高了電性能。在所有表面安裝技術中，倒裝芯片可以達到最小、最薄的封裝。

但是，對于集成密度越高，意味著基板上的布線越來越密集，在進行焊料凸點實現芯片與襯底的互連的時候，由于操作力度過大或者受環境變化的影響，極易產生下應力，焊料凸點下壓芯片，使得芯片表面分布的金屬線斷裂甚至芯片表面的鈍化層斷裂，進而影響產品電測的良品率。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種封裝結構，以解決現有技術中在實現芯片與襯底的互連的時候，由于操作力度過大或者受環境變化的影響，極易產生下應力，焊料凸點下壓芯片，使得芯片表面分布的金屬線斷裂甚至芯片表面的鈍化層斷裂，致使產品電測的良品率低的問題。

為了解決上述技術問題，本實用新型提供一種封裝結構，所述封裝結構，包括：芯片、形成于所述芯片表面的鈍化層、形成于所述鈍化層表面的第一金屬層、形成于所述第一金屬層表面的緩沖層、形成于所述緩沖層表面的第二金屬層及形成于所述第二金屬層表面的焊球；其中，

所述緩沖層上設置有暴露所述第一金屬層的第一通孔，所述第一通孔的形狀為三角形或者仿三角形。

可選的，在所述的封裝結構中，所述第二金屬層上設置有第二通孔，所述第二通孔的形狀為八邊形，并且所述第二通孔與所述第一通孔相通。

可選的，在所述的封裝結構中，所述第二金屬層采用電鍍的Cu。

可選的，在所述的封裝結構中，所述鈍化層上設置有與所述芯片相通的圓形通孔。

可選的，在所述的封裝結構中，所述鈍化層為聚酰亞胺層或者BCB層。

可選的，在所述的封裝結構中，所述第一金屬層上設置有與所述鈍化層相通的圓形通孔。

可選的，在所述的封裝結構中，所述第一金屬層為電鍍的銅線層。

可選的，在所述的封裝結構中，所述緩沖層厚度為3μm～6μm。

可選的，在所述的封裝結構中，所述焊球直徑尺寸為100μm～250μm。

在本實用新型所提供的封裝結構中，通過在緩沖層上設置有三角形或者仿三角形的第一通孔的結構設計，增大了焊球與芯片之間的第二金屬層與緩沖層的接觸面積，減小了在進行焊球實現芯片與襯底的互連的時候，由于操作力度過大或者受環境變化的影響對芯片表面的壓力，避免了芯片表面第一金屬層及第二金屬層的斷裂或者鈍化層斷裂的情況，提高了芯片的可靠性及產品電測的良品率。

附圖說明

圖1是本實用新型封裝結構的剖面結構示意圖；

圖2是本實用新型封裝結構中第二金屬層及緩沖層通孔形狀的示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例對本實用新型提出的封裝結構作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本實用新型的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。

請參考圖1、圖2，其為本實用新型實施例的封裝結構的相關示意圖。如圖1所示，所述封裝結構包括：芯片1、形成于所述芯片1表面的鈍化層10、形成于所述鈍化層10表面的第一金屬層11、形成于所述第一金屬層11表面的緩沖層20、形成于所述緩沖層20表面的第二金屬層21及形成于所述第二金屬層21表面的焊球2；其中，所述緩沖層20上設置有暴露所述第一金屬層11的第一通孔200，所述第一通孔200的形狀為三角形或者仿三角形。