[實用新型]一種封裝結構有效
| 申請號: | 201420103451.3 | 申請日: | 2014-03-07 |
| 公開(公告)號: | CN203774294U | 公開(公告)日: | 2014-08-13 |
| 發明(設計)人: | 周勝平;孫寶亮;佟大明;何智清 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/488 | 分類號: | H01L23/488 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 100176 北京市大興區*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 封裝 結構 | ||
1.一種封裝結構,其特征在于,包括:芯片、形成于所述芯片表面的鈍化層、形成于所述鈍化層表面的第一金屬層、形成于所述第一金屬層表面的緩沖層、形成于所述緩沖層表面的第二金屬層及形成于所述第二金屬層表面的焊球;其中,
所述緩沖層上設置有暴露所述第一金屬層的第一通孔,所述第一通孔的形狀為三角形或者仿三角形。
2.如權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,所述第二金屬層上設置有第二通孔,所述第二通孔的形狀為八邊形,并且所述第二通孔與所述第一通孔相通。
3.如權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,所述第二金屬層采用電鍍的Cu。
4.如權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,所述鈍化層上設置有與所述芯片相通的圓形通孔。
5.如權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,所述鈍化層為聚酰亞胺層或者BCB層。
6.如權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,所述第一金屬層上設置有與所述鈍化層相通的圓形通孔。
7.如權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,所述第一金屬層為電鍍的銅線層。
8.如權利要求1-7任一項中所述的封裝結構,其特征在于,所述緩沖層厚度為3μm~6μm。
9.如權利要求1-7任一項中所述的封裝結構,其特征在于,所述焊球直徑尺寸為100μm~250μm。
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