[實用新型]晶圓背面清洗裝置有效
| 申請號: | 201420103444.3 | 申請日: | 2014-03-07 |
| 公開(公告)號: | CN203774251U | 公開(公告)日: | 2014-08-13 |
| 發明(設計)人: | 郝靜安;舒強;邢濱 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 100176 北京市大興區*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 背面 清洗 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及半導體制造設備,特別是涉及一種晶圓背面清洗裝置。
背景技術
隨著晶體管尺寸的不斷縮小,HKMG(高K絕緣層+金屬柵極)技術幾乎已經成為45nm以下級別制程的必備技術。隨著制程進入28nm及以下,HKMG技術所要面臨的問題也一一展現出來。
一個常見的問題是,在層間介電層(ILD:Interlayer?Dielectric)的化學機械研磨(CMP:Chemical?Mechanical?Polisher)工藝中,通常是保證在晶圓外延的研磨速度快于晶圓中心的研磨速度。這就導致在晶圓的邊緣,所形成的各層,例如ILD層、部分柵極及STI(Shallow?Trench?Isolation)的氧化層被去除,從而使得有源區(AA)及上面的NiSi曝露出來,會引起塌裂(peeling)現象發生,從而影響良率。
考慮到研磨產生的問題,業內采用的一種常見的處理方法是在連接線的光刻過程(CT?photo)中,不進行光阻(PR)的邊緣去除(edge?bead?removal,EBR)工藝,從而能夠盡可能的保護覆蓋在晶圓邊緣的光阻,從而達到保護晶圓邊緣的介電層的目的。如圖1所示,光阻的邊緣去除工藝,是采用使用噴嘴12在晶圓10邊緣11噴灑溶劑,用以去除在晶圓10背面清洗時溶劑從背面侵蝕到晶圓上表面邊緣所產生的缺陷(defect)。
然而這就產生了新的問題,即不采用EBR工藝時,在晶圓背面清洗時溶劑會在晶圓上表面邊緣產生影響,形成缺陷,這是不利于產品的質量。
因此,如何改進這一問題,將能夠在一定程度上提升產品的良率。
實用新型內容
本實用新型的目的在于,提供一種晶圓背面清洗裝置,以減少甚至避免不采用EBR工藝時對產品造成的不良影響。
為解決上述技術問題,本實用新型提供一種晶圓背面清洗裝置,包括清洗結構,用于對晶圓的背面進行清洗,還包括:吹掃結構,所述吹掃結構與清洗結構相對設置,且位于所述清洗結構的正上方,以在清洗時對所述晶圓邊緣提供高壓氣體進行保護。
可選的,對于所述的晶圓背面清洗裝置,所述吹掃結構為一圓環狀結構,所述圓環一周設置有若干個出氣口。
可選的,對于所述的晶圓背面清洗裝置,所述吹掃結構距離所述晶圓的距離可調整,所述距離為1~10cm。
可選的,對于所述的晶圓背面清洗裝置,所述吹掃結構的直徑可調整,所述直徑范圍為所述晶圓的直徑-10cm~所述晶圓的直徑+10cm。
可選的,對于所述的晶圓背面清洗裝置,所述出氣口與所述圓環軸線的夾角可調整。
可選的,對于所述的晶圓背面清洗裝置,所述晶圓背面清洗裝置還包括抽氣結構,所述抽氣結構位于所述清洗結構與吹掃結構中間,環繞所述晶圓一周。
可選的,對于所述的晶圓背面清洗裝置,所述抽氣結構距離所述晶圓邊緣的距離可調整,所述距離大于所述晶圓直徑+10cm。
與現有技術相比,本實用新型提供的晶圓背面清洗裝置,設置有與清洗裝置想對設置且位于其正上方的吹掃結構,所述吹掃結構在晶圓清洗時提供高壓氣體,從而能夠抵御清洗液侵蝕到晶圓上表面,那么在不采用EBR工藝的情況下,能夠有效的提高產品的質量,減少甚至避免缺陷的產生,提高了良率。
附圖說明
圖1為現有技術中EBR工藝的示意圖;
圖2-圖3為本實用新型一實施例中晶圓背面清洗裝置的結構示意圖。
具體實施方式
下面將結合示意圖對本實用新型的晶圓背面清洗裝置進行更詳細的描述,其中表示了本實用新型的優選實施例,應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本實用新型,而仍然實現本實用新型的有利效果。因此,下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道,而并不作為對本實用新型的限制。
為了清楚,不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中,不詳細描述公知的功能和結構,因為它們會使本實用新型由于不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發中,必須做出大量實施細節以實現開發者的特定目標,例如按照有關系統或有關商業的限制,由一個實施例改變為另一個實施例。另外,應當認為這種開發工作可能是復雜和耗費時間的,但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規工作。
在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實用新型。根據下面說明和權利要求書,本實用新型的優點和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例,僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





