[實(shí)用新型]一種激光沉積與原位退火系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420097281.2 | 申請日: | 2014-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN203715715U | 公開(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳江博;成軍;孔祥永 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/28 | 分類號: | C23C14/28;C23C14/58 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;安利霞 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 激光 沉積 原位 退火 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種激光沉積與原位退火系統(tǒng)。
背景技術(shù)
脈沖激光沉積(Pulsed?Laser?Deposition,簡稱PLD)薄膜制備技術(shù)最大的特點(diǎn)是可以在較低溫度下沉積復(fù)雜成分和高熔點(diǎn)的薄膜以及多層復(fù)合薄膜材料,而且沉積速率高,被公認(rèn)為應(yīng)用最廣、最有發(fā)展?jié)摿Φ谋∧ぶ苽浼夹g(shù)之一。
PLD的原理是將脈沖激光器所產(chǎn)生的高功率脈沖激光聚焦于靶材表面,使其表面產(chǎn)生高溫及燒蝕,并進(jìn)一步產(chǎn)生高溫高壓等離子體(T>10000K),形成羽狀物,羽狀物定向局域膨脹,與基片相遇并在基片上沉積成膜。
在沉積成膜后,一般還包括退火工藝,用于改善沉積薄膜的特性。其中,脈沖激光退火技術(shù),是通過能量源在襯底上的一個(gè)小區(qū)域投射脈沖電磁能量,隨后相對能量源移動(dòng)襯底,將另一個(gè)小區(qū)域暴露于脈沖電磁能量。脈沖激光退火技術(shù)使襯底上處理區(qū)域之間的交疊最小化,改進(jìn)了熱退火的均勻性。然而,在脈沖激光退火技術(shù)中使用的能量源必須能夠在相對短的時(shí)間內(nèi)傳送相對大量的能量,因此其成本是很高的,提高了薄膜制備的生產(chǎn)成本。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型提供一種激光沉積與原位退火系統(tǒng),用以降低薄膜制備的生產(chǎn)成本。
為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型提供一種激光沉積與原位退火系統(tǒng),包括:
真空腔體;
第一光學(xué)組件;
靶材承載裝置和基板承載裝置,設(shè)置在所述真空腔體內(nèi);
所述真空腔體的側(cè)壁上具有第一激光入射窗口,在薄膜沉積工藝中,激光經(jīng)過第一光學(xué)組件后,通過第一激光入射窗口照射到固定在所述靶材承載裝置上的靶材上,其中,
所述真空腔體的側(cè)壁上還具有第二激光入射窗口;
所述系統(tǒng)還包括第二光學(xué)組件,在薄膜退火工藝中,激光經(jīng)過第二光學(xué)組件后,通過第二激光入射窗口照射到固定在所述基板承載裝置上的基板上。
如上所述的激光沉積與原位退火系統(tǒng),優(yōu)選的是,所述系統(tǒng)還包括一激光器和一半透半反鏡;
所述激光器發(fā)出的激光照射到所述半透半反鏡上,透過所述半透半反鏡的激光經(jīng)過第一光學(xué)組件后,通過第一激光入射窗口照射到固定在所述靶材承載裝置上的靶材上,被所述半透半反鏡反射的激光經(jīng)過第二光學(xué)組件后,通過第二激光入射窗口照射到固定在所述基板承載裝置上的基板上。
如上所述的激光沉積與原位退火系統(tǒng),優(yōu)選的是,所述第一光學(xué)組件包括第一反射鏡和第一聚焦透鏡,透過所述半透半反鏡的激光經(jīng)所述第一反射鏡反射至所述第一聚焦透鏡,再經(jīng)過所述第一聚焦透鏡的聚焦后,通過第一激光入射窗口照射到固定在所述靶材承載裝置上的靶材上。
如上所述的激光沉積與原位退火系統(tǒng),優(yōu)選的是,所述第二光學(xué)組件包括光闌、第二聚焦透鏡和第二反射鏡,被所述半透半反鏡反射的激光經(jīng)所述光闌整形后,經(jīng)過所述第二聚焦透鏡聚焦至第二反射鏡,再經(jīng)過第二反射鏡的反射后,通過第二激光入射窗口照射到固定在所述基板承載裝置上的基板上。
如上所述的激光沉積與原位退火系統(tǒng),優(yōu)選的是,所述激光器為準(zhǔn)分子激光器、固體激光器或半導(dǎo)體激光器。
如上所述的激光沉積與原位退火系統(tǒng),優(yōu)選的是,所述系統(tǒng)還包括氣路,用于向所述真空腔體內(nèi)輸入氣體。
如上所述的激光沉積與原位退火系統(tǒng),優(yōu)選的是,所述氣體為氧氣、氮?dú)狻⒍栊詺怏w、氨氣或笑氣。
如上所述的激光沉積與原位退火系統(tǒng),優(yōu)選的是,所述基板承載裝置包括:
基板承載臺(tái),設(shè)置在所述真空腔體內(nèi),用于固定基板;
第一旋轉(zhuǎn)控制裝置,設(shè)置在所述真空腔體外,通過轉(zhuǎn)軸與所述基板承載臺(tái)固定連接,用于控制所述基板承載臺(tái)旋轉(zhuǎn)。
如上所述的激光沉積與原位退火系統(tǒng),優(yōu)選的是,所述靶材承載裝置包括:
靶材承載臺(tái),設(shè)置在所述真空腔體內(nèi),用于固定靶材;
第二旋轉(zhuǎn)控制裝置,設(shè)置在所述真空腔體外,通過轉(zhuǎn)軸與所述靶材承載臺(tái)固定連接,用于控制所述靶材承載臺(tái)旋轉(zhuǎn)。
本實(shí)用新型的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





