[實(shí)用新型]一種用于提高磁控濺射鍍膜靶材利用率的靶材有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420082877.5 | 申請(qǐng)日: | 2014-02-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203947153U | 公開(公告)日: | 2014-11-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周航鋒;賀偉;侍進(jìn)山;徐博文;李景;李信;陳武;萬(wàn)祿兵 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 湖南中好科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35 |
| 代理公司: | 湖南省婁底市興婁專利事務(wù)所 43106 | 代理人: | 朱成實(shí) |
| 地址: | 410604 湖南省長(zhǎng)沙市*** | 國(guó)省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 提高 磁控濺射 鍍膜 利用率 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及濺射靶材,尤其是指一種用于提高磁控濺射鍍膜靶材利用率的靶材。
背景技術(shù)
磁控濺射的工作原理是指電子在電場(chǎng)E的作用下,在飛向基片過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片,Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用,產(chǎn)生E電場(chǎng)×B磁場(chǎng)所指的方向漂移,簡(jiǎn)稱E×B漂移,其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場(chǎng),則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng),它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長(zhǎng),而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi),并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar?來(lái)轟擊靶材,從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加,二次電子的能量消耗殆盡,逐漸遠(yuǎn)離靶表面,并在電場(chǎng)E的作用下最終沉積在基片上。由于該電子的能量很低,傳遞給基片的能量很小,致使基片溫升較低。為了在低氣壓下進(jìn)行高速濺射,必須有效地提高氣體的離化率。通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng),利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率的方法。但現(xiàn)有的靶材在制作時(shí)材料浪費(fèi)大、濺射效果不佳。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種用于提高磁控濺射鍍膜靶材利用率的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、濺射效果好、制造成本低的靶材。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型所提供的技術(shù)方案為:一種用于提高磁控濺射鍍膜靶材利用率的靶材,靶材主體采用多段組合式結(jié)構(gòu),組合后的主體頂部設(shè)有下凹的濺射槽,濺射槽的濺射面中部沿主體長(zhǎng)度方向凸起,使濺射面橫截面呈W狀,主體下端設(shè)有凹或凸的定位槽。
所述的靶材為三段,位于兩端的靶材上的濺射槽端部采用弧形結(jié)構(gòu)收尾。
本實(shí)用新型與現(xiàn)有平面結(jié)構(gòu)型的濺射面不同的是:本方案設(shè)計(jì)有濺射槽以適應(yīng)濺射不同位置,進(jìn)而提高濺射靶材的使用效率,進(jìn)一步增加靶材的使用壽命,而且本方案靶材底部不需要采用膠水粘接,使用操作方便,減少靶材體積,降低制造成本。
附圖說(shuō)明
圖1為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本實(shí)用新型靶材底部示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合所有附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明,本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例為:參見附圖1和附圖2,本實(shí)施例所述的用于提高磁控濺射鍍膜靶材利用率的靶材,靶材1主體采用多段組合式結(jié)構(gòu),組合后的主體頂部設(shè)有下凹的濺射槽2,濺射槽2的濺射面中部沿主體長(zhǎng)度方向凸起,使濺射面橫截面呈W狀,主體下端設(shè)有凹或凸的定位槽3。本實(shí)施例的靶材1為三段,位于兩端的靶材1上的濺射槽2端部采用弧形結(jié)構(gòu)收尾。本實(shí)施例通過(guò)濺射槽以適應(yīng)濺射不同位置,進(jìn)而提高濺射靶材的使用效率,進(jìn)一步增加靶材的使用壽命。
以上所述之實(shí)施例只為本實(shí)用新型之較佳實(shí)施例,并非以此限制本實(shí)用新型的實(shí)施范圍,故凡依本實(shí)用新型之形狀、原理所作的變化,均應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
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C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





