[實用新型]覆晶式LED芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420082716.6
• 申請日: 2014-02-25
• 公開（公告）號: CN203721756U
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 龐曉東;王瑞慶;劉鎮(zhèn);陳浩明
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市兆明芯科技控股有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/38
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務(wù)所 44275
• 代理人: 張明

1.一種覆晶式LED芯片，包括襯底，由襯底的正面向上依次層疊地設(shè)有第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、導(dǎo)電層和反射層；

還包括至少一個第一電極孔和至少一個第二電極孔，所述第一電極孔由所述反射層貫穿至發(fā)光層并暴露出第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，所述第二電極孔貫穿反射層并暴露出導(dǎo)電層，第一電極孔的孔壁上涂覆有絕緣層；

第一電極孔內(nèi)設(shè)有第一電極，所述第一電極的一端位于反射層的正面、另一端與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層電性接觸；第二電極孔內(nèi)設(shè)有第二電極，所述第二電極的一端位于反射層的正面、另一端與導(dǎo)電層電性接觸；

其特征在于，所述反射層的正面設(shè)有第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層用于分別電性連接第一電極和第二電極以形成第一電極區(qū)和第二電極區(qū)，第一導(dǎo)電層上暴露第一電極和第二電極；

第一導(dǎo)電層的正面設(shè)有隔離層，所述隔離層覆蓋該覆晶式LED芯片的頂面和第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的側(cè)面的部分或者全部，隔離層上設(shè)有暴露第一電極區(qū)的第一導(dǎo)電孔和暴露第二電極區(qū)的第二導(dǎo)電孔；

隔離層的正面設(shè)有第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層用于分別通過設(shè)于第一導(dǎo)電孔和第二導(dǎo)電孔中的導(dǎo)電金屬電極分別電性連接第一電極區(qū)和第二電極區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述絕緣層和反射層由相同的高反射率絕緣材料制成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述高反射率絕緣材料包括分布式布拉格反射鏡DBR或SiO₂、SiNx、AlN。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述第一電極、第二電極和第一導(dǎo)電層的材質(zhì)為鈦、鉻、鋁和銀中的一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層的厚度為

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層和導(dǎo)電金屬電極的材質(zhì)為金、銀、鉑、鈦、鉻、鎳、銅和鋁中的一種或多種。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層的厚度為

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述隔離層在該覆晶式LED芯片的頂面的水平方向上暴露于第二導(dǎo)電層之間的長度在整體尺寸中的占比為五分之一至二分之一。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述導(dǎo)電層的材質(zhì)為透明導(dǎo)電材料或摻錫氧化銦ITO。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述隔離層的材質(zhì)為二氧化硅或分布式布拉格反射鏡DBR。